复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司孙新获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司申请的专利沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114639606B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210199870.0，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备是由孙新;徐敏;张卫;汪大伟;刘桃;陈鲲;杨静雯;徐赛生;王晨;吴春蕾;尹睿设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种沟道的刻蚀方法，提供一待刻蚀对象，对所述待刻蚀对象一次刻蚀后，交替进行表面处理‑二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；其中，一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层；表面处理用于在待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层；所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及所述保护层。本发明在传统的刻蚀工艺中加入氧化步骤，既实现了对沟道层的保护，又实现了在不同沟道宽度的刻蚀中，减少沟道层的损失量。
本发明授权沟道的刻蚀方法、半导体器件及其制备方法与电子设备在权利要求书中公布了：1.一种沟道的刻蚀方法，其特征在于，包括： S1：提供一待刻蚀对象，所述待刻蚀对象包括形成于基底上的若干鳍结构，每个鳍结构均包括交叠的牺牲层与沟道层，所述若干鳍结构沿沟道方向的宽度存在不同； S2：对所述待刻蚀对象进行一次刻蚀后，交替地进行表面处理-二次刻蚀，直至刻蚀掉所有的鳍结构的牺牲层；所述一次刻蚀和所述二次刻蚀均分别包括多步刻蚀； 其中，所述一次刻蚀用于刻蚀掉所述若干鳍结构中当前宽度最小的鳍结构的全部牺牲层以及其它宽度更宽的鳍结构的部分牺牲层； 所述表面处理用于在所述待刻蚀对象的沟道层与剩余的牺牲层的暴露在外的表面形成保护层； 所述二次刻蚀用于刻蚀掉当前宽度次之的鳍结构的全部的牺牲层，以及其他所述当前宽度更大的其他鳍结构的部分牺牲层，以及所述保护层。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人复旦大学;上海集成电路制造创新中心有限公司，其通讯地址为：200433 上海市杨浦区邯郸路220号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号