江西兆驰半导体有限公司李文涛获国家专利权
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龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司申请的专利一种倒装发光二极管芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709304B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210212704.X，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权一种倒装发光二极管芯片及制备方法是由李文涛;徐吉双;简弘安;张星星;胡加辉;金从龙;顾伟设计研发完成，并于2022-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种倒装发光二极管芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装发光二极管芯片及制备方法，该芯片包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、电流传输金属层、布拉格反射层、反射金属层、绝缘层及键合金属层；反射金属层包括第一反射金属层与第二反射金属层，绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，第一反射金属层与第二反射金属层在芯片的层叠高度上相互错开，第一绝缘层与第二绝缘层中的一个设于第一反射金属层与第二反射金属层之间，第一绝缘层与第二绝缘层中的另一个设于第一反射金属层或第二反射金属层与键合金属层之间。旨在解决现有倒装芯片的N型反射金属层与P型反射金属层处于同一平面，N型反射金属层与P型反射金属层之间容易短路以及芯片长时间老化后快速失效的问题。
本发明授权一种倒装发光二极管芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述芯片包括： 衬底及设于所述衬底之上的外延层，所述外延层包括依次层叠的缓冲层、N型半导体层、有源层及P型半导体层，其中，所述外延层上设有MESA台阶以暴露出所述N型半导体层，所述MESA台阶上设有隔离槽以暴露出所述衬底； 所述芯片还包括电流阻挡层、电流扩展层、电流传输金属层、布拉格反射层、反射金属层、绝缘层及键合金属层； 其中，所述反射金属层包括第一反射金属层与第二反射金属层，所述绝缘层包括第一绝缘层与第二绝缘层，所述第一反射金属层与第二反射金属层在芯片的层叠高度上相互错开，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的一个设于所述第一反射金属层与所述第二反射金属层之间，与之对应的，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中的另一个设于所述第一反射金属层或所述第二反射金属层与所述键合金属层之间。
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