TCL华星光电技术有限公司刘忠杰获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利一种薄膜晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114709251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210264942.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法是由刘忠杰;徐俊设计研发完成，并于2022-03-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种薄膜晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法，所述薄膜晶体管包括基板，栅极，栅绝缘层，沟道层，第一半导体层和第二半导体层，源极和漏极，以及第一氧化层。所述第一半导体层和所述第二半导体层之间具有第一开口以露出部分所述沟道层，所述第一氧化层覆盖所述沟道层露出的表面，从而可以将沟道层与外界隔离，避免后续制程或环境附着物对沟道层的影响，进而可以提高和优化薄膜晶体管的性能和稳定性。
本发明授权一种薄膜晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括： 栅极； 栅绝缘层，覆盖所述栅极； 沟道层，位于所述栅绝缘层上； 第一半导体层和第二半导体层，位于所述沟道层上，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间具有通过不完全刻蚀导电材料形成的第一开口，所述第一开口的深度小于所述第一半导体层的厚度； 源极和漏极，所述源极位于所述第一半导体层上，所述漏极位于所述第二半导体层上； 第一氧化层，位于所述沟道层上，且隔离所述第一半导体层和所述第二半导体层，所述第一氧化层由所述第一开口与所述沟道层之间的部分氧化而成。
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