合肥晶合集成电路股份有限公司游咏晞获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种导线及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114664731B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210326066.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种导线及其形成方法是由游咏晞;郑志成;黄震麟;吴启明设计研发完成，并于2022-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种导线及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种导线及其形成方法，所述形成方法包括以下步骤：提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线；在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层；对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以加深所述沟槽的深度；以及在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线。本发明通过增加了对沟槽底壁上的阻挡层进行物理轰击工艺，可以改变沟槽的形状，同时还增大了金属材料的填充纵截面，可以有效降低导线的阻值，具体的，可以降低导线的阻值约5%，减少了RC延迟现象的发生，提升了导线响应速度。
本发明授权一种导线及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种导线的形成方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体衬底，所述半导体衬底中形成有介质层，所述介质层中形成有沟槽，所述沟槽用于形成金属互连线； 在所述沟槽的底壁和侧壁上形成阻挡层，所述沟槽的底壁上的阻挡层的厚度较所述沟槽的侧壁上的阻挡层的厚度大； 对所述沟槽的底壁进行物理轰击，以减薄所述沟槽底部大部分区域上的阻挡层厚度，并加深所述沟槽的深度，使得所述沟槽的底壁边缘呈台阶状；以及 在所述沟槽中填充金属材料，以形成金属互连线，进而形成导线； 其中，在所述物理轰击时，通入所述阻挡层的反应腔室的气体中包括氩气，通入的所述氩气的流量为5sccm~30sccm，所述阻挡层的反应腔室中的交流功率为200W~1500W。
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