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龙图腾网获悉湖南国科微电子股份有限公司申请的专利一种DDR电阻配置电路、连接控制方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114756497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210454063.9，技术领域涉及：G06F13/40；该发明授权一种DDR电阻配置电路、连接控制方法及电子设备是由杨超;曾许英设计研发完成，并于2022-04-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种DDR电阻配置电路、连接控制方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请的实施例提供了一种DDR电阻配置电路、连接控制方法及电子设备，电路包括上拉电阻模块、下拉电阻模块和控制模块；所述上拉电阻模块和所述下拉电阻模块均包括至少两个并联的电阻单元，所述电阻单元包括近似电阻，且至少两个并联的电阻单元中的近似电阻的电阻值不同；所述控制模块用于控制所述上拉电阻模块和或所述下拉电阻模块的连接状态。本申请减少了DDR芯片的面积，提升了DDR芯片的实用性，便于DDR芯片往高精密方向发展。

本发明授权一种DDR电阻配置电路、连接控制方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种DDR电阻配置电路，其特征在于，所述DDR电阻配置电路包括上拉电阻模块、下拉电阻模块和控制模块； 所述上拉电阻模块和所述下拉电阻模块均包括至少两个并联的电阻单元，所述电阻单元包括近似电阻，且至少两个并联的电阻单元中的近似电阻的电阻值不同； 所述控制模块用于控制所述上拉电阻模块和或所述下拉电阻模块的连接状态； 所述上拉电阻模块和所述下拉电阻模块中的所述电阻单元的电阻值关系为二进制权重比例关系；至少两个并联的所述电阻单元中包括一个标准阻值单元，根据所述标准阻值单元以二进制权重递增或递减的方式确定除所述标准阻值单元外的其他电阻单元的等效电阻值； 所述控制模块包括第一精度控制单元和第二精度控制单元，所述第一精度控制单元和所述第二精度控制单元用于调整所述上拉电阻模块和或所述下拉电阻模块的等效电阻值，其中，所述第一精度控制单元连接所述上拉电阻模块的一端，所述第二精度控制单元连接所述下拉电阻模块的一端；所述第一精度控制单元与所述上拉电阻模块中的各所述电阻单元电连接，所述第二精度控制单元与所述下拉电阻模块中的各所述电阻单元电连接； 所述控制模块包括第一驱动控制单元和第二驱动控制单元，所述第一驱动控制单元和或所述第二驱动控制单元输出二进制控制信号以控制所述上拉电阻模块和或所述下拉电阻模块的连接状态。

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