爱思开海力士有限公司全振桓获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件以及制造该半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115497942B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210637254.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体器件以及制造该半导体器件的方法是由全振桓;金大原;金泰均;朴靖雨;安星焕;郑璲钰;崔东求设计研发完成，并于2022-06-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件以及制造该半导体器件的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种具有改进的可靠性的半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的制造半导体器件的方法可以包括：在衬底之上形成多个位线结构；在位线结构之间形成线形状开口；在线形状开口的边缘上形成止挡件结构；在每个线形状开口中填充线图案；通过刻蚀线图案来形成多个接触插塞和多个隔离凹槽；以及在隔离凹槽中填充插塞隔离层。
本发明授权半导体器件以及制造该半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，包括： 衬底，其包括单元阵列区和单元阵列边缘区； 多个位线结构，其形成在所述衬底的所述单元阵列区之上； 止挡件结构，其形成在所述衬底的所述单元阵列边缘区之上； 多个储存节点接触插塞，其形成在所述单元阵列区的所述位线结构之间；以及 多个虚设插塞，其形成在所述止挡件结构上； 其中，所述位线结构从所述单元阵列区延伸至所述单元阵列边缘区； 其中，所述多个虚设插塞位于所述单元阵列边缘区中的位线结构之间； 其中，所述止挡件结构形成在所述衬底与所述虚设插塞之间。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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