武汉衷华脑机融合科技发展有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉衷华脑机融合科技发展有限公司申请的专利一种微电极结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115153566B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210677422.7，技术领域涉及：A61B5/293；该发明授权一种微电极结构及其制作方法是由黄立;黄晟;童贝设计研发完成，并于2022-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种微电极结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及微电极技术领域，具体涉及一种微电极结构及其制作方法，包括硬针以及设置于所述硬针上方的软针；所述硬针与所述软针通过微柱隔开，所述硬针尾部的正面设置有至少一个所述微柱或者所述软针尾部的背面设置有至少一个微柱。本发明的微电极结构在硬针植入神经组织时，通过硬针及硬针上的软针引导件将软针带入组织内，再拔出硬针，将软针留在组织内，可以避免采用单一的硬针或单一的软针的缺陷，且硬针尾部的正面或者软针尾部的背面设置有至少一个微柱，可以有效防止硬针和软针之间发生黏附，降低了植入组织后硬针的拔出难度。
本发明授权一种微电极结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种微电极结构，其特征在于：包括硬针以及设置于所述硬针上方的软针；所述硬针与所述软针通过微柱隔开，所述硬针尾部的正面设置有至少一个所述微柱或者所述软针尾部的背面设置有至少一个微柱；所述硬针上设置有软针引导件，所述硬针通过所述软针引导件可以将所述软针一同带入神经组织内，并在所述硬针拔出时所述软针引导件可与所述软针分离。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人武汉衷华脑机融合科技发展有限公司，其通讯地址为：430075 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B3栋10楼1130（自贸区武汉片区）；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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