西安电子科技大学周小伟获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115360236B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210784835.5，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法是由周小伟;黄晨曦;李培咸;冯晨宇;刘瑞宇设计研发完成，并于2022-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件及其制备方法，所述器件包括自下而上依次设置的衬底、AlN成核层、应力调控层、高阻缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层和GaN帽层，其中，高阻缓冲层自下而上依次包括掺Fe的GaN缓冲层、六方BN缓冲层和掺C的GaN缓冲层；GaN帽层的上表面设置有相互间隔的源电极、漏电极和栅电极，源电极和漏电极与AlGaN势垒层形成欧姆接触；栅电极与AlGaN势垒层形成肖特基接触。本发明利用高阻缓冲层不仅可以实现缓冲层的高阻特性，还可以防止Fe进入GaN沟道层，影响器件整体性能，并且还可以抑制电流崩溃现象的发生。
本发明授权一种具有高阻缓冲层的GaN HEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有高阻缓冲层的GaNHEMT器件，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底1、AlN成核层2、应力调控层3、高阻缓冲层4、GaN沟道层5、AlN插入层6、AlGaN势垒层7和GaN帽层8，其中， 所述高阻缓冲层4自下而上依次包括掺Fe的GaN缓冲层、六方BN缓冲层和掺C的GaN缓冲层； 所述GaN帽层8的上表面设置有相互间隔的源电极9、漏电极10和栅电极11，所述源电极9和所述漏电极10分别与所述AlGaN势垒层7形成欧姆接触；所述栅电极11与所述AlGaN势垒层7形成肖特基接触。
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