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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115219803B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210837423.3，技术领域涉及：G01R29/10；该发明授权一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法是由冶玲;赵立山;钱宝良;张泽海;杨梓晗设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法，功率测量方法包括：在测量场地内，在正对辐射源的能量集中区域的测量面上设置面阵式微波传感器；测量面上设置有同心的第一个测量环至第N个测量环；第n个测量环上的Q个测量点分别为：第n环第一个测量点T1 n至第n环第Q测量点TQ n；每个测量点上均设置一个微波传感器；采用面阵式微波传感器测量获取各测量点电场幅值与电场相位，根据电场幅值计算获取功率密度；将所述功率密度在测量面上积分得到辐射源的辐射场功率。模式监测方法包括：用不同颜色表示测量面上辐射电场强度分布，实现图像显示；利用模式正交性原理实现高功率微波源混合模式种类、幅度、相位的诊断与监测。

本发明授权一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量与模式监测方法在权利要求书中公布了：1.一种基于面阵式高功率微波辐射场功率测量方法，其特征在于，包括： 在测量场地内，在正对辐射源的能量集中区域的测量面上设置面阵式微波传感器；所述测量面上设置有同心的第一个测量环至第N个测量环，第一个测量环至第N个测量环的直径递增；每个测量环上均匀分布Q个测量点，每个测量点上均设置一个微波传感器，第一个测量环至第N个测量环的中心设置一个微波传感器，第n个测量环上的Q个测量点分别为：沿着周向依次分布的第n环第一个测量点T1 n至第n环第Q测量点TQ n；第一环第q个测量点Tq 1至第N环第q个测量点Tq N位于一条直线上；n为大于或等于1且小于或等于N的整数；q为大于或等于1且小于或等于Q的整数；所述测量面的上顶面至发射天线的中心的连线与测量面的下顶点至发射天线的中心的连线之间的夹角为2θ；对于相邻的测量环，测量环至发射天线的中心的连线之间的夹角为Δθ，Δθ＝2θ； 采用面阵式微波传感器测量获取各测量点上的电场幅值与电场相位，根据电场幅值计算获取功率密度；由第i环第j个测量点、第i环第j+1个测量点、第i+1环第j个测量点、第i+1环第j+1个测量点围成的测试区域的功率密度其中，Sj i为第i环第j个测量点处的微波传感器测量的功率密度，Sj+1 i为第i环第j+1个测量点处的微波传感器测量的功率密度，Sj i+1为第i+1环第j个测量点处的微波传感器测量的功率密度，Sj+1 i+1为第i+1环第j+1个测量点处的微波传感器测量的功率密度，i为大于或等于1且小于或等于N-1的整数，j为大于或等于1且小于或等于Q-1的整数；由第i环第Q个测量点、第i环第一个测量点、第i+1环第Q个测量点、第i+1环第一个测量点围成的测试区域的功率密度其中，为第i环第Q个测量点处的微波传感器测量的功率密度,为第i环第1个测量点处的微波传感器测量的功率密度,为第i+1环第Q个测量点处的微波传感器测量的功率密度,为第i+1环第1个测量点处的微波传感器测量的功率密度； 第一环第j测量点、第一环第j+1测量点以及测量环的中心围成的测试区域的功率密度S0 0为第一个测量环至第N个测量环的中心处的微波传感器测量的功率密度，Sj 1为第一环第j测量点处的微波传感器测量的功率密度，Sj+1 1为第一环第j+1测量点处的微波传感器测量的功率密度；第一环第Q测量点、第一环第1测量点以及测量环的中心围成的测试区域的功率密度SQ 1为第一环第Q测量点处的微波传感器测量的功率密度，S1 1为第一环第1测量点处的微波传感器测量的功率密度；P为辐射源的辐射场功率，L为测量面的中心至发射天线的距离，i’为大于或等于0且小于或等于N-1的整数，j’为大于或等于1且小于或等于Q的整数； 将所述功率密度在测量面上积分得到辐射源的辐射场功率。

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