绍兴中芯集成电路制造股份有限公司戴银获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利接触孔制造方法及半导体器件制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115188711B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210836621.8，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权接触孔制造方法及半导体器件制造方法是由戴银;任文珍设计研发完成，并于2022-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本接触孔制造方法及半导体器件制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种接触孔制造方法及半导体器件制造方法，其在第一导电结构的顶面上覆盖一定厚度的绝缘介质层，并在第一导电结构之间的间隔中填充牺牲层，由此，在刻蚀层间介质层形成开孔作为接触孔的上部开口之后，去除牺牲层来自对准的形成接触孔的下部开口，降低了对接触孔的对位精度的要求，进而降低了接触孔制造的工艺难度。
本发明授权接触孔制造方法及半导体器件制造方法在权利要求书中公布了：1.一种接触孔制造方法，其特征在于，包括： 提供一衬底，在所述衬底上形成有至少两个相互间隔开的第一导电结构，所述第一导电结构的顶面上覆盖有绝缘介质层，相邻所述第一导电结构之间的间隔处的衬底中形成有第二导电结构； 在所述间隔的内侧壁上形成侧墙，所述侧墙覆盖所述第一导电结构和所述绝缘介质层的侧壁； 在所述间隔中填充牺牲层，所述牺牲层的顶面高于所述第一导电结构的顶面且低于所述绝缘介质层的顶面，并形成层间介质层覆盖于所述牺牲层、所述绝缘介质层和所述侧墙上； 刻蚀所述间隔处的层间介质层，且刻蚀停止在所述牺牲层的顶面，以形成暴露出所述牺牲层顶面的开孔； 通过湿法刻蚀工艺去除所述开孔底部区域内的所述牺牲层，以在所述间隔处自对准地形成暴露出所述第二导电结构的顶面的接触孔。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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