杭州探真纳米科技有限公司崔波获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州探真纳米科技有限公司申请的专利闪耀光栅的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115308826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210861036.3，技术领域涉及：G02B5/18；该发明授权闪耀光栅的制造方法是由崔波;严正;朱效立;潘艾希设计研发完成，并于2022-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本闪耀光栅的制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种闪耀光栅的制造方法，包括以下步骤：在光栅基底上形成图案；采用掩膜材料在所述光栅基底上形成刻蚀掩膜，所述掩膜材料填充满所述光栅基底图案中的空隙；去除所述光栅基底表面的刻蚀掩膜，直至所述光栅基底的图案被露出，填充在所述光栅基底图案空隙中的的掩膜材料不会被去除；对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀，得到需要的闪耀光栅结构；去除剩余的掩膜材料。通过本发明的方法可以实现纳米尺寸光栅的制造，形成的图案具有更高精确度；本方法重复性高，光栅高度可确定或者可由刻蚀速率与时间控制，宽度由两侧掩膜材料的距离确定。
本发明授权闪耀光栅的制造方法在权利要求书中公布了：1.闪耀光栅的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 在光栅基底上形成图案； 采用掩膜材料在所述光栅基底上形成刻蚀掩膜，所述掩膜材料填充满所述光栅基底图案中的空隙； 去除所述光栅基底表面的刻蚀掩膜，直至所述光栅基底的图案被露出，填充在所述光栅基底图案空隙中的掩膜材料不会被去除； 对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀，得到需要的闪耀光栅结构； 去除剩余的掩膜材料； 对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的方法为：进行倾斜离子束刻蚀； 对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀的过程中，在刻蚀至出现部分光栅时取出光栅基底，采用倾斜电子束在掩膜材料露出的侧壁上蒸镀一层增强掩膜层，然后继续对所述光栅基底进行倾斜角度刻蚀。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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