绍兴中芯集成电路制造股份有限公司杨凌辉获国家专利权
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龙图腾网获悉绍兴中芯集成电路制造股份有限公司申请的专利半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115064590B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210900671.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权半导体器件的制备方法是由杨凌辉设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件的制备方法。所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的非器件加工区形成监测孔，在所述衬底的器件加工区形成工艺孔；其中，所述监测孔至少包括两个深度不同的第一孔部和第二孔部；在所述工艺孔和所述监测孔内填充栅极材料以形成栅极材料层；其中，所述栅极材料与所述衬底的材料不同；对所述栅极材料层位于所述工艺孔内的部分和位于所述监测孔内的部分同步进行刻蚀，以在所述工艺孔内形成凹槽；通过所述监测孔中栅极材料的残留情况确定所述凹槽的底部边缘的深度是否符合制备要求。本申请的半导体器件的制备方法能够在线直接监控栅极材料层刻蚀后形成的凹槽的底部边缘的深度，及时发现异常，避免后续造成诸多不良影响。
本发明授权半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 提供衬底； 在所述衬底的非器件加工区形成监测孔，在所述衬底的器件加工区形成工艺孔；其中，所述监测孔至少包括两个深度不同的第一孔部和第二孔部； 在所述工艺孔和所述监测孔内填充栅极材料以形成栅极材料层；其中，所述栅极材料与所述衬底的材料不同； 对所述栅极材料层位于所述工艺孔内的部分和位于所述监测孔内的部分同步进行刻蚀，以在所述工艺孔内形成凹槽； 通过所述监测孔中栅极材料的残留情况确定所述凹槽的底部边缘的深度是否符合制备要求。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人绍兴中芯集成电路制造股份有限公司，其通讯地址为：312035 浙江省绍兴市越城区皋埠街道临江路518号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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