TCL华星光电技术有限公司金妍伶获国家专利权
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龙图腾网获悉TCL华星光电技术有限公司申请的专利蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115368899B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210954603.X，技术领域涉及：C09K13/00；该发明授权蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法是由金妍伶设计研发完成，并于2022-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法，应用于蚀刻氧化物半导体器件，该蚀刻液包括在蚀刻液中的质量百分比为12％至25％的氧化剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至3％的螯合剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.5％至5％的蚀刻剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％的腐蚀抑制剂、在蚀刻液中的质量百分比为0.01％至2％辅助蚀刻剂、以及余量的水性介质；本申请的蚀刻液不含氟元素以及蚀刻液中辅助蚀刻剂的增加，在保证氧化物半导体层不受损的情况下，辅助蚀刻剂可以对钼系金属的尾缘及其尖端的残渣作进一步蚀刻，减少钼系金属的尾缘及其尖端的残渣的残留。
本发明授权蚀刻液、氧化物半导体器件及蚀刻方法在权利要求书中公布了：1.一种用于蚀刻氧化物半导体器件的蚀刻液，其特征在于，包括： 氧化剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为12%至25%； 螯合剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5%至3%； 蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.5%至5%； 腐蚀抑制剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01%至2%； 辅助蚀刻剂，在所述蚀刻液中的质量百分比为0.01%至2%；以及 余量的水性介质； 其中，所述蚀刻液中氟元素的含量为0； 所述辅助蚀刻剂为醋酸钾、醋酸钠、醋酸钙、醋酸镁中的至少一者； 所述氧化物半导体器件包括金属氧化物层和设置于所述金属氧化物层上的金属走线，所述金属氧化物层包括由金属铟、镓以及锌组成的金属氧化物，所述金属走线包括钼系金属为下层膜、铜系金属为中层膜以及钼系金属为上层膜的钼铜钼三层结构的金属膜层； 所述钼系金属膜的边界和所述铜系金属膜的边界间距小于或等于0.05微米。
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