美国亚德诺半导体公司G·P·雷斯马获国家专利权
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龙图腾网获悉美国亚德诺半导体公司申请的专利霍尔抵消的封装应力传感器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115704722B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210965066.9,技术领域涉及:G01L1/16;该发明授权霍尔抵消的封装应力传感器是由G·P·雷斯马;K·V·拉扎罗夫设计研发完成,并于2022-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本霍尔抵消的封装应力传感器在说明书摘要公布了:本公开涉及霍尔抵消的封装应力传感器。基于半导体霍尔板的传感器可以提供有关封装应力的信息,并且基本上不受磁场的影响。在实例中,传感器可以包括霍尔板和激励电路。激励电路可以向霍尔板的各个节点对提供信号。测量电路可以响应于激励信号的第一部分在第一对节点处接收关于第一电信号的信息,并且可以响应于激励信号的第二部分在第二对节点处收到关于第二电信号的消息。第一和第二电信号可指示半导体的电荷载流子迁移率特性,其可用于指示传感器上的物理应力。
本发明授权霍尔抵消的封装应力传感器在权利要求书中公布了:1.一种用于测量半导体器件中的应力的方法,包括: 在霍尔板的第二节点处提供第一刺激,并作为响应,测量来自霍尔板的第一节点的第一电信号,其中所述第一电信号指示所述半导体器件在第一方向上的载流子迁移率特性; 在霍尔板的第一节点处提供第二刺激,并作为响应,测量来自所述霍尔板的第二节点的第二电信号,其中所述第二电信号指示所述半导体器件在相同第一方向上的载流子迁移率特性;和 基于所述第一电信号和所述第二电信号之间的关系确定关于包括所述霍尔板的半导体器件的物理应力指示器, 其中,所述第一刺激和所述第二刺激包括电压信号或电流信号。
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