武汉高芯科技有限公司黄立获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉高芯科技有限公司申请的专利一种非制冷红外晶圆级封装探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115353066B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211023377.X，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种非制冷红外晶圆级封装探测器是由黄立;蔡光艳;高健飞;王春水;汪超;叶帆设计研发完成，并于2022-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种非制冷红外晶圆级封装探测器在说明书摘要公布了：本发明属于晶圆级封装探测器技术领域，具体提供一种非制冷红外晶圆级封装探测器，利用MEMS工艺将焊料环和器件反射层上大片面积金属通过接触部连接到读出电路的地电位上，通过金属接地的方式减小寄生电容、寄生电阻，提高探测器性能；由于大片金属刻蚀工艺中聚集的大量电荷，会对器件结构产生影响，将晶圆级封装的焊料环和器件反射层通过读出电路接到地电位上，也会将金属刻蚀工艺中聚集的大量电荷通过接地的方式释放，提升了探测器的性能及器件结构的稳固，同时增加了探测器的生产良率。
本发明授权一种非制冷红外晶圆级封装探测器在权利要求书中公布了：1.一种非制冷红外晶圆级封装探测器，其特征在于，包括读出电路以及盖封于所述读出电路上的封装盖帽，所述读出电路与所述封装盖帽之间通过焊料环2连接，所述焊料环2呈接地设置；所述读出电路上具有焦平面阵列结构，所述焦平面阵列结构包括器件反射层6以及位于器件反射层6上方的微桥结构，所述器件反射层6呈接地设置。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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