买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉吉林大学申请的专利一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115549444B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211033151.8，技术领域涉及：H02M1/08；该发明授权一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路是由尚新磊;赵岩;王美婷;徐琳琳设计研发完成，并于2022-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路在说明书摘要公布了：本发明属于MOS管驱动技术领域，尤其涉及一种变压器隔离的SiCMOS驱动电路，包括隔离变压器，所述隔离变压器的原边绕组为控制波形输入端，所述隔离变压器的副边绕组有中间抽头，中间抽头连接输出端子S；隔离变压器副边绕组的另外两个抽头中的一个抽头通过第一整流二极管与输出端子G连接；隔离变压器副边绕组的最后一个抽头通过第二整流二极管与小功率放电SiCMOS管的栅极相连；小功率放电MOS管的漏极与输出端子G连接；小功率放电MOS管的源极与栅极之间并联电阻；输出端子G和输出端子S之间并联电容。能够解决现有的变压器隔离的MOS驱动电路体积大、成本高且不适合在较低频率和占空比范围变化较大的情况下使用的问题。

本发明授权一种变压器隔离的SiC MOS驱动电路在权利要求书中公布了：1.一种变压器隔离的SiCMOS驱动电路，其特征在于，该驱动电路包括： 隔离变压器，所述隔离变压器的原边绕组为控制波形输入端，所述隔离变压器的副边绕组有中间抽头，中间抽头连接输出端子S；隔离变压器副边绕组的另外两个抽头中的一个抽头连接第一整流二极管的阳极，第一整流二极管的阴极与输出端子G连接；隔离变压器副边绕组的最后一个抽头连接第二整流二极管的阳极，第二整流二极管的阴极与小功率放电SiCMOS管的栅极相连；小功率放电MOS管的漏极与输出端子G连接；小功率放电MOS管的源极与输出端子S、中间抽头以及一电阻的一端连接，电阻的另一端连接小功率放电MOS管的栅极；输出端子G和输出端子S之间并联一电容； 在隔离变压器的原边绕组的一输入端子Vin1与输入电阻串联再与输入电容串联，然后连接到隔离变压器的原边的一个抽头上，隔离变压器的原边的另外一个抽头与另一输入端子Vin2连接，构成输入回路； 所述输入电阻的阻值在1欧姆到90欧姆，所述输入电容的范围为0.1微法到90微法。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人吉林大学，其通讯地址为：130012 吉林省长春市朝阳区前进大街2699号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。