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龙图腾网获悉东南大学申请的专利一种细胞温度测量的MEMS传感器芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115560873B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211135058.8，技术领域涉及：G01K7/18；该发明授权一种细胞温度测量的MEMS传感器芯片及其制备方法是由顾宁;张方舟设计研发完成，并于2022-09-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种细胞温度测量的MEMS传感器芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种细胞温度测量的MEMS传感器芯片及其制备方法。该传感器芯片包括基底，在基底上依次设有聚酰亚胺薄膜、Cr粘附层、Pt电阻层和氮化硅封装层。该传感器芯片是使用MEMS工艺制备并进行表面硅烷化处理，细胞贴壁生长在传感器纳米修饰表面，细胞温度的变化使传感器电阻值改变，通过传感器的电阻‑温度转换关系将电阻信号转化为传感器温度的变化，实现细胞温度的原位检测。该传感器具有优异的生物兼容性，便于细胞贴壁生长且可实现对细胞微弱热信号的检测，对细胞信息的获取以及药物筛选、临床医学具有十分重要的价值。

本发明授权一种细胞温度测量的MEMS传感器芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种细胞温度测量的MEMS传感器芯片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： （1）将基底预处理，得到预处理过的基底； （2）将聚酰亚胺溶液旋涂在预处理过的基底上，置于氮气烘箱中固化，得到含聚酰亚胺膜的基底； （3）在步骤（2）基底的聚酰亚胺膜上旋涂AZ5214光刻胶，通过正胶反转工艺进行光刻，显影，将掩膜版上的传感器图案转印至基底的聚酰亚胺膜上； （4）使用电子束蒸发工艺在聚酰亚胺膜的图案上部依次制备Cr粘附层和Pt电阻层； （5）将步骤（4）得到芯片浸泡在丙酮溶液中，超声，浸泡，通过lift-off工艺去除多余的光刻胶以及多余的金属，得到传感器芯片的Pt电阻； （6）遮挡Pt电阻的引线电极，使用ICPCVD技术在Pt电阻的检测区域制备氮化硅封装层，得到传感器芯片； （7）在氧气氛围中对传感器芯片表面进行等离子体处理，然后将其浸泡在含有3-2-氨基乙基氨基丙基三甲氧基硅烷的无水乙醇溶液中，静置，用纯水清洗并用氮气吹干即得细胞温度测量的MEMS传感器芯片； 所述细胞温度测量的MEMS传感器芯片包括基底（1），在基底（1）上依次设有聚酰亚胺薄膜（2）、Cr粘附层（3）、Pt电阻层（4）和氮化硅封装层（5）；所述Cr粘附层（3）的厚度为5-10nm，所述Pt电阻层（4）的厚度80-110nm，所述氮化硅封装层（5）的厚度为150-200nm。

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