嘉兴斯达微电子有限公司陈雪萌获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴斯达微电子有限公司申请的专利一种碳化硅器件的终端结构及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115498016B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211144793.5，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种碳化硅器件的终端结构及制备方法是由陈雪萌;王艳颖;钱晓霞;汤艺设计研发完成，并于2022-09-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅器件的终端结构及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种碳化硅器件的终端结构及制备方法，包括，衬底层；外延层，设于所述衬底层上，所述外延层上设有至少一个凹槽，所述凹槽的底部以及所述外延层的上表面的下方设有保护环；所述凹槽穿过阱区到达外延层，凹槽两侧有阱区包围；氧化层，设于所述外延层的上表面以及所述凹槽的内表面上；阱区介质层，设于所述氧化层上阱区介质层完全或部分填充凹槽；本发明通过在器件的终端设计多个沟槽，沟槽侧壁有P阱，沟槽底部和非沟槽的外延表面有间隔的PPS环注入，该设计使传统的平面场限环结构向沟槽中扩展，既能提供较高的击穿电压实现对终端原胞区的保护，又可以减小目前碳化硅器件的终端结构尺寸。
本发明授权一种碳化硅器件的终端结构及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件的终端结构，其特征在于，包括， 衬底层； 外延层，设于所述衬底层上，所述外延层内设有阱区以及位于所述阱区内的源极部，所述外延层上设有至少一个沟槽，所述沟槽穿过所述阱区且延伸至所述外延层内，所述沟槽的底部以及所述外延层的上表面的下方设有注入环； 氧化层，设于所述外延层的上表面以及所述沟槽的内表面上； 栅极薄膜层，设于所述氧化层上； 介质层，设于所述氧化层上并覆盖所述栅极薄膜层，所述沟槽内表面覆盖的所述介质层完全或部分填充所述沟槽； 所述终端结构还包括终端区和原胞区，所述沟槽位于所述终端区内，所述源极部位于所述原胞区内。
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