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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利一种晶圆允收测试结构及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115692226B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211168014.5，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权一种晶圆允收测试结构及制作方法是由张炜虎;王珊珊;仇峰设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆允收测试结构及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆允收测试结构及制作方法，该方法包括：提供一半导体层，半导体层包括隔离层与有源区，于隔离层周围的有源区上形成栅氧化层，于栅氧化层上形成在X向排布的多晶硅栅和在Y向排布的多晶硅栅，于衬底上形成层间介质层，于层间介质层中形成接触通孔，第一部分接触通孔与有源区连接，第二部分接触通孔与多晶硅栅连接。本发明通过于有源区上形成X向排布的多晶硅栅和Y向排布的多晶硅栅，测量多晶硅栅与有源区之间的电容得到X向或Y向的套准偏移量，能够快速对所有晶圆片进行测试；并且工艺制程中各层图形尺寸的偏差对测试结果没有影响，图形套刻过程中的旋转对测试没有影响；同时，该结构工艺与所有含CMOS工艺的平台兼容。

本发明授权一种晶圆允收测试结构及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆允收测试结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一半导体层，所述半导体层包括衬底、阱区及隔离层，所述阱区位于所述衬底中，所述隔离层位于所述阱区中以在所述阱区中隔离出有源区； 于所述隔离层周围的所述有源区上形成栅氧化层； 于所述栅氧化层上形成第一多晶硅栅、第二多晶硅栅、第三多晶硅栅及第四多晶硅栅，所述第一多晶硅栅与所述第二多晶硅栅在X方向上间隔排布于所述隔离层的相对两侧，所述第三多晶硅栅与所述第四多晶硅栅在Y方向上间隔排布于所述隔离层的相对两侧，所述第一多晶硅栅、所述第二多晶硅栅、所述第三多晶硅栅及所述第四多晶硅栅朝向所述隔离层的一端均延伸至所述隔离层上方，在对准状态下，所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅基于所述隔离层对称分布，所述第三多晶硅栅和所述第四多晶硅栅基于所述隔离层对称分布，在X方向上所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅之间的间隔距离大于所述第三多晶硅栅、所述第四多晶硅栅的宽度，在Y方向上所述第三多晶硅栅和所述第四多晶硅栅之间的间隔距离大于所述第一多晶硅栅、所述第二多晶硅栅的宽度； 于所述衬底上形成层间介质层，所述层间介质层覆盖所述第一多晶硅栅、所述第二多晶硅栅、所述第三多晶硅栅、所述第四多晶硅栅、所述有源区和所述隔离层； 于所述层间介质层中形成多个接触通孔，所述接触通孔在垂直方向上贯穿所述层间介质层，其中，所述多个接触通孔包括与所述有源区连接的第一接触通孔及至少四个间隔排布并分别与所述第一多晶硅栅、所述第二多晶硅栅、所述第三多晶硅栅、所述第四多晶硅栅连接的第二接触通孔。

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