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龙图腾网获悉中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司申请的专利一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115597735B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211247446.5，技术领域涉及：G01K7/02；该发明授权一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法是由冯科;王水根;谭庆;陈南菲;漆锐;邓惠丹;杨玉;段青松设计研发完成，并于2022-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法，属于传感器技术领域。传感器包括保护层I、保护层II、导电种子层I、导电种子层II、粘结层I、粘结层II、绝缘层I、绝缘层II、传感层和环氧树脂。制作方法为：通过电镀、旋涂、光刻、磁控溅射、电子束蒸发、低压化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积等工艺步骤逐层沉积粘结层、绝缘层、传感层、阻挡层、种子层和保护层。本发明能有效保障传感器在恶劣工业环境中的使用效果，并有助于大幅提升其使用寿命。

本发明授权一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法在权利要求书中公布了：1.一种金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器制作方法，其特征在于，主要包括以下步骤： 步骤1、选取硅衬底基片（103），并对硅衬底基片进行清洗和平滑处理； 步骤2、采用低压化学气相沉积工艺在硅衬底基片（103）的上顶面和下底面分别沉积氮化硅层I（7）和氮化硅层II；其中，氮化硅层I（7）作为湿法刻蚀硅衬底基片（103）时的刻蚀阻挡层； 步骤3、利用RIE反应离子刻蚀工艺将氮化硅层II去除； 步骤4、通过匀胶旋涂工艺在氮化硅层I（7）表面涂覆光刻胶（8），并在热板上进行前烘，然后在光刻机上采用掩模板进行曝光，再放置于热板上进行后烘，放置于显影液中进行显影，待清洗吹干后形成传感器图版； 步骤5、通过磁控溅射工艺在光刻胶表面上沉积第一传感回路，形成第一传感回路后放置于丙酮中进行浸泡以剥离光刻胶（8）,最后烘干；所述第一传感回路包括依次溅射的粘结层III（501）、金属传感层I（502）和粘结层IV（503）； 步骤6、通过匀胶旋涂工艺在氮化硅层I（7）表面涂覆光刻胶（8），并在热板上进行前烘，然后在光刻机上采用掩模板进行曝光，再放置于热板上进行后烘，放置于显影液中进行显影，待清洗吹干后形成传感器图版； 步骤7、通过磁控溅射工艺在光刻胶层表面上沉积第二传感回路，形成第二传感回路后放置于丙酮中进行浸泡以剥离光刻胶（8）,最后烘干；所述第二传感回路包括依次溅射的粘结层V（504）、金属传感层II（505）和粘结层VI（506）； 步骤8、通过电子束蒸发工艺在传感层上方沉积氧化铝绝缘层I（401）；通过等离子增强化学气相沉积工艺在氧化铝绝缘层I（401）表面沉积氮化硅绝缘层I（402）；通过电子束蒸发工艺在氮化硅绝缘层I（402）表面沉积氧化铝绝缘层II（403）； 步骤9、在氧化铝绝缘层II（403）表面依次溅射粘结层I（301）和导电种子层I（201）； 步骤10、利用电镀工艺在氮化硅层I（7）与导电种子层I（201）上顶面电镀保护层I（101）；利用氢氧化钾溶液湿法刻蚀工艺去除掉硅衬底基片（103），实现基底转移；采用RIE干法刻蚀工艺去除掉氮化硅层I（7）； 步骤11、通过挡板排除焊盘区域后，通过电子束蒸发工艺在裸露的第一传感回路和第二传感回路表面沉积氧化铝绝缘层III（601）；通过等离子增强化学气相沉积工艺在氧化铝绝缘层III（601）表面沉积氮化硅绝缘层II（602）；通过电子束蒸发工艺在氮化硅绝缘层II（602）表面沉积氧化铝绝缘层IV（603）； 步骤12、在氧化铝绝缘层IV（603）表面依次溅射粘结层II（302）和导电种子层II（202）；通过电镀工艺在导电种子层II（202）表面电镀保护层II（102），实现传感器的嵌入式保护； 步骤13、采用导电银胶为传感层上所有焊盘（10）连接补偿导线（9），经热板烘烤固化后再涂抹上一层环氧树脂，再经t时间固化，完成金属嵌入式微纳米薄膜温度传感器的制作。

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