湖北科技学院方明获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北科技学院申请的专利基于PTX对称电介质中激光点的半波移相器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115799963B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211374848.1，技术领域涉及：H01S3/10；该发明授权基于PTX对称电介质中激光点的半波移相器是由方明;刘江华;程伟设计研发完成，并于2022-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于PTX对称电介质中激光点的半波移相器在说明书摘要公布了：本发明涉及基于PTX对称电介质中激光点的半波移相器，包括由两种折射率不同的电介质薄片A和电介质薄片B对接形成的电介质结构，且所述电介质结构满足nar＝nbr；其中G为尺度变换系数，电介质薄片A的厚度为da，电介质薄片B的厚度为db，nar和nbr分别为电介质薄片A折射率的实部和电介质薄片B折射率的实部，nai和nbi分别为电介质薄片A折射率的虚部和电介质薄片B折射率的虚部；固定入射波长，PTX对称电介质结构支持一个共振激光点，透射系数相位和反射系数相位同时在共振激光点处发生π的相位跳变，通过改变入射角大小，实现透射光波和反射光波的半波相移。本发明所述半波移相器可实现精确的半波相移。
本发明授权基于PTX对称电介质中激光点的半波移相器在权利要求书中公布了：1.基于PTX对称电介质中激光点的半波移相器，其特征在于，包括由两种折射率不同的电介质薄片A和电介质薄片B对接形成的电介质结构，且所述电介质结构满足nar＝nbr；其中G为尺度变换系数，电介质薄片A的厚度为da，电介质薄片B的厚度为db，nar和nbr分别为电介质薄片A折射率的实部和电介质薄片B折射率的实部，nai和nbi分别为电介质薄片A折射率的虚部和电介质薄片B折射率的虚部； 固定入射波长，所述电介质结构支持一个共振激光点，继而利用透射系数相位和反射系数相位同时在共振激光点处发生π的相位跳变，通过改变入射角大小，实现透射光波和反射光波的半波相移。
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