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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利碳纳米管增强CVD碳包覆SiO_x负极材料及制备和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116093275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211457005.8，技术领域涉及：H01M4/36；该发明授权碳纳米管增强CVD碳包覆SiO_x负极材料及制备和应用是由周海平;杨彬;周行;吴孟强;张庶;徐自强;冯婷婷;方梓煊设计研发完成，并于2022-11-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳纳米管增强CVD碳包覆SiO_x负极材料及制备和应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种碳纳米管增强CVD碳包覆SiOx复合负极材料及其制备方法和应用，属于电化学储能材料制备技术领域。方法包括：将SiOx粉体置于管式炉中，使用化学气相沉积法在SiOx颗粒表面沉积碳涂层，然后将SiOx@C与CNTs浆料分散在去离子水中，采用喷雾干燥法将CNTs包覆在SiOx@C表面，形成三维结构的导电网络，得到SiOx@C@CNTs复合材料。CVD衍生的碳涂层增强了结构的稳定性，提高了SiOx的循环性能。而3D结构的CNTs导电网络改善了复合材料的倍率性能，为锂离子的输运提供了丰富的途径。制得的材料作为锂离子电池负极材料具有优异的倍率性能和循环性能，制备方法简单，可实现大批量生产。

本发明授权碳纳米管增强CVD碳包覆SiO_x负极材料及制备和应用在权利要求书中公布了：1.一种碳纳米管增强CVD碳包覆SiOx负极材料的制备方法，其特征在于，负极材料由CNTs增强CVD衍生碳包覆SiOx颗粒构成，制备方法包括以下步骤： 步骤1：在SiOx颗粒表面采用CVD法沉积碳涂层，得到SiOx@C复合材料，具体过程为：将SiOx粉体分散于瓷舟中，置于管式炉中，在惰性气氛或氮气气氛下加热至800-1000℃后，再通入载气和碳源气体进行碳沉积，完成碳沉积后停止通入碳源气体，并在惰性气氛或氮气气氛下自然冷却至室温，得到碳包覆SiOx的SiOx@C复合材料； 步骤2：将步骤1制得的SiOx@C复合材料与CNTs浆料分散于去离子水中，先超声处理30min，再搅拌12h，得到SiOx@C与CNTs的混合溶液；所述步骤2中的CNTs浆料的固含量为6.5％，SiOx@C与CNTs的混合溶液的固含量为5-10％之间，SiOx@C复合材料与CNTs浆料的质量比为1:2-6； 步骤3：将步骤2制得的混合溶液进行喷雾干燥，蠕动泵转速为10-20rmin，风机频率为10-30Hz；然后再将喷雾干燥制得的复合材料置于管式炉中，在5℃min的升温速率下升温至800℃热处理2h，即得到CNTs增强CVD碳包覆SiOx的SiOx@C@CNTs复合材料。

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