四川航天系统工程研究所王鑫剑获国家专利权
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龙图腾网获悉四川航天系统工程研究所申请的专利一种侵彻缓冲阻尼装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115853957B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211514049.X，技术领域涉及：F16F15/03；该发明授权一种侵彻缓冲阻尼装置是由王鑫剑;左易;钱成;姜安林;邓李圣;郭芸芸;聂献东;刘金;卢鹏;陈粤海;杨宇彬设计研发完成，并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种侵彻缓冲阻尼装置在说明书摘要公布了：本发明公开了一种侵彻缓冲阻尼装置，属于地外天体原位侵彻式探测领域，包括侵彻体，所述侵彻体的非侵彻端围设有磁导体，所述磁导体的下端面设有与侵彻体连接的增阻板，所述侵彻体的非侵彻端内设有用于对所述磁导体产生磁力的磁源结构。本发明利用增阻板及电磁结构的侵彻缓冲减阻方式，对飞行侵彻速度具有自适应性，结构紧凑、降低跳跃概率，速度降低后缓冲阻力将进一步降低，适用于地形条件未知的地外天体动能侵彻式探测，兼顾了侵彻深度与星表贮留的功能需求。
本发明授权一种侵彻缓冲阻尼装置在权利要求书中公布了：1.一种侵彻缓冲阻尼装置，包括侵彻体（1），其特征在于，所述侵彻体（1）的非侵彻端围设有磁导体（2），所述磁导体（2）为圆柱状并盖设在所述侵彻体（1）上；所述磁导体（2）的下端面设有与侵彻体（1）连接的增阻板（3），所述侵彻体（1）的非侵彻端内设有用于对所述磁导体（2）产生磁力的磁源结构（4）；所述磁源结构（4）包括磁源和磁源控制器，所述磁源控制器在侵彻体（1）与被侵彻介质（5）接触时，会产生过载加速度，开启所述磁源；所述磁导体（2）与增阻板（3）是一体化结构。
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