哈尔滨工业大学程健获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115797283B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211505064.8,技术领域涉及:G06T7/00;该发明授权一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法是由程健;杨丁槐;陈明君;赵林杰;刘赫男;王景贺;刘志超;王健;许乔设计研发完成,并于2022-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法,属于工程光学技术领域。为解决现有技术泵浦‑探测超快时间分辨阴影成像实验难以识别冲击波形成初期这一关键阶段的冲击波波速;且实验过程中需要重复进行大量损伤性试验,而针对特定光学材料表面微纳缺陷,难以通过重复性、损伤性的实验来准确获取其激光损伤过程中冲击波波速的问题。本发明通过构建模型分别模拟了激光损伤初期能量沉积过程、能量传递过程和激光损伤后期高功率激光与光学材料加工表面微纳缺陷区的相互作用过程,最终得到损伤过程中不同时刻光学材料加工表面缺陷区冲击波波速。本发明填补了当前尚无法获得损伤过程中近微纳缺陷区冲击波波速的理论和技术空白。
本发明授权一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法在权利要求书中公布了:1.一种光学材料激光损伤过程中冲击波波速预测方法,其特征在于包括如下步骤: 步骤一、确定高功率激光辐照光学材料的激光参数; 步骤二、确定光学材料的研究区域的尺寸和形状参数; 步骤三、基于电子跃迁理论和原子轨道理论,建立高功率激光辐照条件下光学材料加工表面微纳缺陷区电子非线性离化模型以模拟激光损伤初期微纳缺陷区能量沉积过程; 步骤四、基于电子-声子双温模型理论,建立光学材料加工表面微纳缺陷区电子-声子双温模型以模拟微纳缺陷区电子将沉积的激光能量通过声子传递给材料的过程; 步骤五、建立考虑电磁场、热场、流体场和固体力场多物理场的激光损伤理论模型,以模拟激光损伤后期高功率激光与材料加工表面微纳缺陷区的相互作用过程; 步骤六、通过求解电子非线性离化模型、电子-声子双温模型和激光损伤理论模型获取不同时刻高功率激光辐照条件下光学材料加工表面微纳缺陷区产生的冲击波动态行为图像; 步骤七、根据得到的冲击波动态行为图像获取高功率激光辐照条件下光学材料加工表面缺陷区激光损伤过程中产生的冲击波波速的预测值。
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