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电子科技大学王向展获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种基于开关电容放大器的高压驱动电路获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115733451B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202211598014.9,技术领域涉及:H03F3/00;该发明授权一种基于开关电容放大器的高压驱动电路是由王向展;赵伟乐;吴克军;刘军设计研发完成,并于2022-12-12向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于开关电容放大器的高压驱动电路在说明书摘要公布了:本发明属于模拟集成电路技术领域,具体涉及一种基于开关电容放大器的高压驱动电路。本发明为了应对放大模式转采样模式时增益级负向输入端高压击穿问题,提出一种新的放电时序加入到保持模式与采样模式之间,该时序能够保证在高压作用到增益级负向输入端之前将高压输出迅速放电到足够低的电压。本发明利用开关电容放大器同时实现采样保持与高压放大的功能,通过将采样保持与高压放大相结合,降低了传统高压驱动电路的电路版图面积及功耗,尤其适用于在可调波长红外传感器的高压驱动阵列中。

本发明授权一种基于开关电容放大器的高压驱动电路在权利要求书中公布了:1.一种基于开关电容放大器的高压驱动电路,其特征在于:包括第一MOS管M1、第二MOS管M2、第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5、第六MOS管M6、第一稳压二极管Z1、第一电阻R1、第一电容C1、第二电容C2、第一负载电容CL、第一二极管D1、第二二极管D2、增益级放大电路Gain和控制时钟;其中,M1和M2是≤5V的低压N型MOS管,M3、M5、M6是>5V的高压N型MOS管,M4是>5V的高压P型MOS管;控制时钟包括CK0、CK1、CK2和CK3四个; 所述第一MOS管M1的源极连接输入信号VIN,其漏极分别与第二MOS管M2的漏极和第一电容C1的左极板相连,第一MOS管M1的栅极连接输入时钟信号CK1; 所述第二MOS管M2的栅极连接输入时钟信号CK2,其源极接地; 所述第一电容C1右极板、第二电容C2的左极板和第六MOS管M6的源极均连接到增益级电路Gain的负向输入端X,增益级电路Gain的正向输入端连接低压共模信号VCM,第六MOS管M6的栅端接输入时钟信号CK0; 所述第三MOS管M3、第四MOS管M4、第五MOS管M5和第六MOS管M6的漏端与第一负载电容CL的上极板连接在一起作为输出端VOUT,第一负载电容CL的下极板接地; 所述第三MOS管M3的栅极连接增益级电路Gain的输出,其源极接地;第四MOS管M4的栅极连接偏置电压VBP,其源极连接高压电源HVDD,第一电阻R1与第一稳压二极管Z1串联后跨接在第四MOS管M4的源极和栅极之间; 所述第五MOS管M5的栅极连接输入时钟信号CK3,第一二极管D1和第二二极管D2并联后跨接在第五MOS管M5的源极和地之间; 整个基于开关电容放大器的高压驱动电路包括两个电压域,增益级电路Gain工作在低电压域LVDD≤5V,输出级第三MOS管M3和第四MOS管M4属于高电压域HVDD,5V<HVDD≤35V。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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