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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116258104B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211724897.3，技术领域涉及：G06F30/3308；该发明授权一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法是由陈阳;孙文杰;方恒;赖娴;张勇;延波设计研发完成，并于2022-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件领域，具体提供一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法，用以解决现有模型适用范围小、无法对不同结构晶体管建模的问题。本发明在现有模型的基础上引入可变元件，通过可变元件将多种类型晶体管归纳到统一模型下，使多种晶体管之间物理意义更加明确；同时，在参数提取过程中，将晶体管等效6个寄生元件子模型，通过三维电磁场仿真软件进行分步建模仿真，再基于新的参数提取算法，将多种晶体管在统一模型及其方程表达式下完成参数提取；基于此，本发明能够对对双孔有桥晶体管、单孔有桥晶体管、双孔无桥晶体管进行准确的建模，极大地提高了模型的适用范围，具有节省建模时间、提高模拟精度的优点。

本发明授权一种InP太赫兹晶体管的可重构模型及其参数提取方法在权利要求书中公布了：1.一种InP太赫兹晶体管的可重构模型，包括：寄生元件与本征元件；其特征在于， 所述寄生元件包括：栅极外部寄生阻抗Zg、栅极外部寄生电容Cg、栅极中部寄生电容Cgs_in、栅极内部寄生电容Cgs_finger、栅极内部寄生阻抗Zgrf、栅极内部寄生电感Lg_finger、栅漏寄生电容Cgd_finger、漏极内部寄生阻抗Zdrf、漏极内部寄生电感Ld_finger、漏极内部寄生电容Cds_finger、漏极中部寄生电容Cds_in、漏极外部寄生阻抗Zd、漏极外部寄生电容Cd、源极阻抗Zsrf、源极寄生电感Ls、可变栅极中部寄生电容ΔCgs_in、可变漏极中部寄生电容ΔCds_in、可变栅极内部寄生电容ΔCgs_finger、可变漏极内部寄生电容ΔCds_finger、可变源极寄生电感ΔLs、可变源极阻抗ΔZsrf；其中， 所述栅极外部寄生阻抗Zg与栅极外部寄生电容Cg串联后连接于外部栅极节点G与外部源极节点S之间，所述漏极外部寄生阻抗Zd与漏极外部寄生电容Cd串联后连接于外部漏极节点D与外部源极节点S之间，所述源极寄生电感Ls与源极阻抗Zsrf串联后连接于外部源极节点S与本征源极节点S1之间，所述栅极中部寄生电容Cgs_in与可变栅极中部寄生电容ΔCgs_in并联后连接于外部栅极节点G与本征源极节点S1之间，所述漏极中部寄生电容Cds_in与可变漏极中部寄生电容ΔCds_in并联后连接于外部漏极节点D与本征源极节点S1之间，所述栅极内部寄生阻抗Zgrf与栅极内部寄生电感Lg_finger串联后连接于外部栅极节点G与本征栅极节点G1之间，所述漏极内部寄生阻抗Zdrf与漏极内部寄生电感Ld_finger串联后连接于外部漏极节点D与本征漏极节点D1之间，所述栅极内部寄生电容Cgs_finger与可变栅极内部寄生电容ΔCgs_finger并联后连接于本征栅极节点G1与本征源极节点S1之间，所述漏极内部寄生电容Cds_finger与可变漏极内部寄生电容ΔCds_finger并联后连接于本征漏极节点D1与本征源极节点S1之间，所述栅漏寄生电容Cgd_finger连接于本征栅极节点G1与本征漏极节点D1之间，所述可变源极寄生电感ΔLs与可变源极阻抗ΔZsrf串联后连接于外部源极节点S与本征源极节点S1之间。

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