长鑫存储技术有限公司王耀获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利一种半导体结构的制造方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115955912B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310086422.4，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构是由王耀设计研发完成，并于2023-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构的制造方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例公开了一种半导体结构的制造方法及半导体结构。半导体结构的制造方法包括：提供衬底，衬底包括叠层结构以及贯穿叠层结构的下电极孔；在下电极孔内形成第一下电极层、第二下电极层和第三下电极层，第一下电极层覆盖下电极孔的内表面，第二下电极层覆盖第一下电极层的表面，第三下电极层覆盖第二下电极层的表面，第一下电极层、第二下电极层与第三下电极层定义为下电极层；其中，第二下电极层的强度大于第一下电极层和第三下电极层的强度。本公开提供的制造方法中，形成由第一下电极层、强度高的第二下电极层和第三下电极层复合而成的下电极层，下电极层整体强度较高，能够改善因单层电极板强度不足而导致电容柱易弯曲或倾斜的问题。
本发明授权一种半导体结构的制造方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括叠层结构以及贯穿所述叠层结构的下电极孔； 在所述下电极孔内形成第一下电极层、第二下电极层和第三下电极层，所述第一下电极层覆盖所述下电极孔的内表面，所述第二下电极层覆盖所述第一下电极层的表面，所述第三下电极层覆盖所述第二下电极层的表面，所述第一下电极层、所述第二下电极层与所述第三下电极层定义为下电极层；其中， 所述第二下电极层的强度大于所述第一下电极层和所述第三下电极层的强度。
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