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龙图腾网获悉眸芯科技(上海)有限公司申请的专利宽输入共模范围的LVDS接收电路及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116488596B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310060754.5，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权宽输入共模范围的LVDS接收电路及芯片是由黄泽祥;张开伟设计研发完成，并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本宽输入共模范围的LVDS接收电路及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了宽输入共模范围的低压差分信号LVDS接收电路及芯片，涉及数据处理电路技术领域。所述LVDS接收电路的输入级包括第一级输入端和第二级输入端、两组PMOS管输入差分对、电平移位模块，以及用作开关的PMOS晶体管PM5、参考电压模块和偏置电路模块；偏置电路模块用于提供偏置电流I0和其控制配置，用于在输入共模电平位于中间电平或者在参考电压附近时，调低输出的偏置电流I0以补偿两组PMOS管输入差分对同时工作时的电路跨导Gm增大。本发明不仅能够在低电源电压下实现接近轨到轨的输入共模范围，而且电路跨导Gm随共模变化较小，显著降低了电路的速度、增益、迟滞等受输入共模变化的影响。

本发明授权宽输入共模范围的LVDS接收电路及芯片在权利要求书中公布了：1.一种宽输入共模范围的低压差分信号LVDS接收电路，包括输入级，所述输入级包括第一级输入端和第二级输入端、第一组PMOS管输入差分对和第二组PMOS管输入差分对，以及电平移位模块；所述第一级输入端和第二级输入端用于施加差分输入信号对VP和VN，所述差分输入信号对VP和VN分别与第二组PMOS管输入差分对的两个晶体管的栅极直接连接，用来控制两个晶体管的漏电流；所述差分输入信号对VP和VN还通过电平移位模块分别与第一组PMOS管输入差分对的两个晶体管的栅极间接连接，用来控制两个晶体管的漏电流；所述电平移位模块用于降低输入共模电平，其特征在于： 所述输入级还包括用作开关的PMOS晶体管PM5、参考电压模块和偏置电路模块； 所述晶体管PM5的漏极与第一组PMOS管输入差分对的两个晶体管的源极相连至第一节点，同时所述晶体管PM5的源极与第二组PMOS管输入差分对的两个晶体管的源极相连至第二节点，同时所述晶体管PM5的栅极连接参考电压模块； 所述参考电压模块提供参考电压VREF至晶体管PM5，VREF作为晶体管PM5的栅极电压； 所述偏置电路模块，用于提供输入级的偏置电流I0，并进行偏置电流的控制配置；其中，所述偏置电路模块被配置为：在判定输入共模电平位于中间电平或者输入共模电平与参考电压VREF的差值位于预设范围内时，调低输出的偏置电流I0，以使得流向前述第一节点和第二节点的偏置电流I0降低。

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