湘潭大学王金斌获国家专利权
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龙图腾网获悉湘潭大学申请的专利一种提升α-In2Se3基二维光电探测器性能的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115985994B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310047894.9，技术领域涉及：H10F30/10；该发明授权一种提升α-In2Se3基二维光电探测器性能的方法是由王金斌;罗云帆;侯鹏飞;钟向丽设计研发完成，并于2023-01-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升α-In2Se3基二维光电探测器性能的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种提升α‑In2Se3基二维光电探测器性能的方法，属于光电响应探测领域。本发明通过由Ar2+和CF2 2+组成的混合离子束对α‑In2Se3基二维光电探测器施加辐照，发现功能Ar2+离子在α‑In2Se3中创造浅层能级空位的同时CF2 2+离子能够钝化α‑In2Se3中深层能级空位，即两种离子协同发挥各自的优势，加快α‑In2Se3基光电探测器的光响应速度，提升α‑In2Se3基光电探测器的光电流；且本发明限定的方法简单易行，具有很强的实用性。
本发明授权一种提升α-In2Se3基二维光电探测器性能的方法在权利要求书中公布了：1.一种提升α-In2Se3基二维光电探测器性能的方法，其特征在于，所述方法为由Ar2+和CF2 2+组成的混合离子束辐照α-In2Se3基二维光电探测器； 所述Ar2+离子个数占混合离子束个数的60-80％。
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