中科南京智能技术研究院周玉梅获国家专利权
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龙图腾网获悉中科南京智能技术研究院申请的专利一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116030863B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310103377.9，技术领域涉及：G11C11/417；该发明授权一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法是由周玉梅;黎涛;乔树山;尚德龙设计研发完成，并于2023-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法，旨在解决现有技术中使用电流比较器对存算乘累加结果进行量化操作存在量化逻辑复杂、量化周期长的问题，包括第一钳位电路、第二钳位电路、PMOS电流镜电路和NMOS电流镜电路；所述PMOS电流镜电路包括8个PMOS晶体管，所述NMOS电流镜电路包括4个NMOS晶体管；通过检测减法电路中流过两个电流支路的电流大小判断RRAM阵列乘累加运算结果的符号与大小。本发明通过电流镜结构的电路实现减法运算，运算逻辑较为简单，减小了电路的复杂性和设计难度。
本发明授权一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路及方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于RRAM存算电路的电流减法电路，其特征在于，包括第一钳位电路、第二钳位电路、PMOS电流镜电路和NMOS电流镜电路； 所述PMOS电流镜电路包括8个PMOS晶体管，所述NMOS电流镜电路包括4个NMOS晶体管； 第一钳位电路与第一PMOS晶体管的漏端、栅端，以及第二PMOS晶体管的栅端相连；第二PMOS晶体管的漏端与第三PMOS晶体管的栅端和漏端、第四PMOS晶体管的栅端、第一NMOS晶体管的漏端、第二NMOS晶体管的漏端和栅端、第三NMOS晶体管的栅端相连；第三NMOS晶体管的漏端与第五PMOS晶体管的漏端和栅端、第六PMOS晶体管的栅端相连；第一NMOS晶体管的栅端与第四NMOS晶体管的栅端和漏端、第七PMOS晶体管的漏端相连；第七PMOS晶体管的栅端与第八PMOS晶体管的栅端和漏端、第二钳位电路相连；第一～第八PMOS晶体管的源端均连接至电源电压；第一～第四NMOS晶体管的源端均连接至地电位。
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