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龙图腾网获悉北京国家新能源汽车技术创新中心有限公司申请的专利一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116312733B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310109331.8，技术领域涉及：G11C29/56；该发明授权一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质是由侯越设计研发完成，并于2023-02-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明涉及存储芯片工作应力模拟技术领域，公开了一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质，包括以下步骤：S1：测试平台系统获取存储芯片的基础信息；S2：根据需求对存储芯片进行分区，划分工作应力施加区域及无工作应力施加区域；S3：测试平台系统从算法库中提取算法并分配到工作应力施加区域上；S4：工作应力施加区域通过测试平台系统模拟控制存储芯片的参数配置；S5：工作应力施加区域通过测试平台系统根据存储芯片的基础信息从驱动库中获取驱动配置；S6：测试平台系统通过S5的驱动配置后对工作应力施加区域进行工作应力模拟。通过划分存储芯片为工作应力施加区域和无工作应力施加区域，测试存储芯片不同区域对应力的敏感程度。

本发明授权一种存储芯片工作应力的模拟方法、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种存储芯片工作应力的模拟方法，通过测试平台系统实现，其特征在于：包括以下步骤： S1：所述测试平台系统获取存储芯片的基础信息； S2：根据需求对所述存储芯片进行分区，划分工作应力施加区域及无工作应力施加区域； S3：所述测试平台系统从算法库中提取算法并分配到所述工作应力施加区域上； S4：所述工作应力施加区域通过所述测试平台系统模拟控制所述存储芯片的参数配置； S5：所述工作应力施加区域通过所述测试平台系统根据所述存储芯片的基础信息从驱动库中获取驱动配置； S6：所述测试平台系统通过S5的驱动配置后对所述工作应力施加区域进行工作应力模拟； 其中，所述S3包括： 所述测试平台系统根据所述存储芯片的工作负荷状态，分配一个或多个算法到所述工作应力施加区域上； 所述S4包括： 所述存储芯片的参数配置的模拟控制包括每个所述工作应力施加区域中的算法组合的循环次数、循环时间、区域执行顺序的设定。

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