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龙图腾网获悉华南理工大学申请的专利一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116693283B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310357798.4，技术领域涉及：C04B35/47；该发明授权一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料及其制备方法是由许雷义;张志杰;钟明峰;徐威;谢菲儿设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料的制备方法，具体步骤如下：称取重量百分比为40‑50％的BaCO3，重量百分比为5‑10％的B2O3，重量百分比为33‑38％的SiO2和重量百分比为5‑10％的ZnO；将称取的试剂进行球磨、干燥、熔化和淬冷，将淬冷后的玻璃球磨成玻璃粉体；将制备得到的Ba0.3Sr0.7TiO3粉体与玻璃粉体混合得到混合粉体，添加PVA试剂，喷雾干燥，压模后得到生胚；将生胚进行烧结，得到高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料。本发明还公开了一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料，本发明显著降低玻璃的融熔温度和陶瓷介质的烧结温度，提高基介电陶瓷的击穿性能和储能特性。

本发明授权一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料的制备方法，其特征在于，具体步骤如下： （1）、制备玻璃粉体： 按以下组分的质量百分比称量原料： BaCO340~50% B2O35~10% SiO233~38% ZnO5~10% 将称取的原料进行湿磨6~8h，干燥12~18h，再置于1250~1350℃熔化2~3h后用水淬冷，将淬冷后的玻璃球磨成玻璃粉体； （2）、将Ba0.3Sr0.7TiO3粉体与所述玻璃粉体混合得到混合粉体；将混合粉体湿磨3~5h后添加PVA试剂，再进行喷雾干燥，压模后得到生胚；将生胚进行烧结，得到高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料； 所述烧结的具体步骤如下： 将生胚置于500~700℃下保温120~180min以排出粘结剂，再升温至1100～1300℃下进行烧结，保温时间为120~180min； 所述高击穿强度高储能密度介电陶瓷材料中，具有短棒状的第二相Ba2TiSi2O8； 所述Ba0.3Sr0.7TiO3粉体由以下步骤制备得到： 按以下组分的重量百分比称量原料：称取重量百分比为24.5％的BaCO3，重量百分比为42.5％的SrCO3，重量百分比为33％的TiO2； 将称取的原料进行湿磨6~8h，干燥12~18h，随后在950~1000℃下煅烧，得到Ba0.3Sr0.7TiO3粉体； 所述混合粉体中，玻璃粉体的质量百分比为12%。

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