湖南国科微电子股份有限公司曾祺琳获国家专利权
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龙图腾网获悉湖南国科微电子股份有限公司申请的专利一种LDO电路及LDO芯片获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116301165B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310395934.9,技术领域涉及:G05F1/56;该发明授权一种LDO电路及LDO芯片是由曾祺琳设计研发完成,并于2023-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种LDO电路及LDO芯片在说明书摘要公布了:本发明提供了一种LDO电路及LDO芯片,电路包括:LDO电路模块和限流电路模块,LDO电路模块与限流电路模块并联;限流电路模块包括:第一限流单元、降功耗单元、第二限流单元和工作电流单元,第一限流单元的一端连接LDO电路模块,第二限流单元的一端连接LDO电路模块,降功耗单元的第一端与第一限流单元的另一端连接,降功耗单元的第二端与第二限流单元的另一端连接,降功耗单元的第三端接地,工作电流单元连接工作电流Iout,第一限流单元包括第一MOS管,第二限流单元包括第二MOS管,工作电流单元包括第三MOS管,第一MOS管分别连接第二MOS管和第三MOS管;本申请的LDO电路具有限流保护功能,且功耗降低。
本发明授权一种LDO电路及LDO芯片在权利要求书中公布了:1.一种LDO电路,其特征在于,包括:LDO电路模块和限流电路模块,所述LDO电路模块与所述限流电路模块并联,所述限流电路模块包括:第一限流单元、降功耗单元、第二限流单元和工作电流单元; 所述第一限流单元的一端连接所述LDO电路模块,所述第二限流单元的一端连接所述LDO电路模块,所述降功耗单元的第一端与所述第一限流单元的另一端连接,所述降功耗单元的第二端与所述第二限流单元的另一端连接,所述降功耗单元的第三端接地,所述工作电流单元连接工作电流,所述第一限流单元包括第一MOS管,所述第二限流单元包括第二MOS管,所述工作电流单元包括第三MOS管,所述第一MOS管分别连接所述第二MOS管和所述第三MOS管; 所述工作电流单元用于接收所述工作电流,并将所述工作电流通过所述第三MOS管传输到第二MOS管和第一MOS管,以激活所述第二限流单元和所述第一限流单元; 所述第一限流单元和所述第二限流单元用于接收所述LDO电路模块的输出电流; 所述降功耗单元用于将所述第一限流单元和所述第二限流单元接收的所述输出电流进行传输。
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