上海三菲半导体有限公司杨军获国家专利权
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龙图腾网获悉上海三菲半导体有限公司申请的专利分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116544782B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310719635.6，技术领域涉及：H01S5/12；该发明授权分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法是由杨军设计研发完成，并于2023-06-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法，包括：一个半导体基材，沉积在半导体基材上、且与半导体基材相同导电材料的下包覆层，沉积在下包覆层上、且含有脊波导和多量子阱增益层的半导体有源层，沉积在半导体有源层上的上包覆层，沉积在上包覆层上的半导体覆盖层，以及沉积在半导体覆盖层上的导电层；所述导电层具有非金属化区域，形成三个无电流注入区；所述半导体有源层内布设有一衍射光栅区域；所述衍射光栅区域内布设有一相移光栅；所述三个无电流注入区，其位置分别为激光二极管前端面附近、后端面附近及相移光栅的正上方；所述无电流注入区与沿脊波导分布的边模峰值位置重合。
本发明授权分布式反馈半导体激光二极管、应用及制备方法在权利要求书中公布了：1.分布式反馈半导体激光二极管，其特征在于，包括：一个半导体基材，沉积在半导体基材上、且与半导体基材相同导电材料的下包覆层，沉积在下包覆层上、且含有脊波导和多量子阱增益层的半导体有源层，沉积在半导体有源层上的上包覆层，沉积在上包覆层上的半导体覆盖层，以及沉积在半导体覆盖层上的导电层；所述导电层具有非金属化区域，且形成三个无电流注入区；所述半导体有源层内布设有一衍射光栅区域；所述衍射光栅区域内布设有一相移光栅；三个所述无电流注入区分别位于半导体基材的前端面上部、相移光栅的正上方和半导体基材的后端面上部；所述无电流注入区与沿脊波导分布的边模峰值区域重合。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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