彩山微电子(苏州)有限公司朱修殿获国家专利权
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龙图腾网获悉彩山微电子(苏州)有限公司申请的专利一种ESD保护二极管以及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116682848B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310725253.4，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权一种ESD保护二极管以及制备方法是由朱修殿;朱勇刚;黄晓峰;邵伟设计研发完成，并于2023-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种ESD保护二极管以及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件制备领域，公开了一种ESD保护二极管以及制备方法，方法包括步骤：在衬底上设置多个浅沟槽隔离区，包括第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区；在第二浅沟槽隔离区和第三浅沟槽隔离区上设置多晶硅层；在每两个浅沟槽隔离区中间进行离子注入，在衬底上得到第一掺杂层、第二掺杂层和第三掺杂层，第一掺杂层和第三掺杂层适于导出电流，第二掺杂层为PN结阴极，衬底为PN结阳极。本发明通过在STI上覆盖POLY，由于POLY层厚度较厚，超过能够有效阻挡离子plus注入，作为plus注入的阻挡层，plus在注入时就不会打到STIdivot区域，使得PN结的界面更加平缓，耐压或者耐电流的能力提高。
本发明授权一种ESD保护二极管以及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种ESD保护二极管，所述二极管包括衬底，衬底上设置有多个浅沟槽隔离区，包括第一浅沟槽隔离区、第二浅沟槽隔离区、第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区； 所述第二浅沟槽隔离区和所述第三浅沟槽隔离区上设置多晶硅层；所述多晶硅层为进行离子注入的阻挡层，所述多晶硅层的厚度大于1800埃；所述多晶硅层的横截面相同，均为长方形，所述横截面的长度大于浅沟槽隔离区梯形截面的上底的长度； 在第一浅沟槽隔离区和第二浅沟槽隔离区中间设置有第一掺杂层，在第三浅沟槽隔离区和第四浅沟槽隔离区中间设置有第三掺杂层，在第二浅沟槽隔离区和第三浅沟槽隔离区中间设置有第二掺杂层，所述第一掺杂层和第三掺杂层适于导出电流，所述第二掺杂层为PN结阴极，所述衬底为PN结阳极。
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