上海天岳半导体材料有限公司舒天宇获国家专利权
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龙图腾网获悉上海天岳半导体材料有限公司申请的专利一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119177489B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310746123.9，技术领域涉及：C30B23/02；该发明授权一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体是由舒天宇;石志强;王旗;宋猛;王凯;张林;彭红宇;李林;徐光明设计研发完成，并于2023-06-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体在说明书摘要公布了：本申请公开了一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体，属于SiC生产加工技术领域。SiC衬底包括第一表层、第二表层和中间层；同一轴线上，在所述第一表层中任意平行于第一主表面或第二主表面的平面处，Smax1代表第一表层中径向应力绝对值最大值，Smax2代表中间层中径向应力绝对值最大值，Smax3代表第二表层中径向应力绝对值最大值，△S1＝Smax2‑Smax1，△S2＝Smax2‑Smax3，‑15MPa≤△S1≤10MPa，‑15MPa≤△S2≤10MPa。上述第一表层、第二表层和中间层中SiC衬底中的径向应力均较低，且各个层之间的应力分布均匀性好，能够提高SiC衬底的质量，扩大该SiC衬底的使用范围，并有利于下游外延片和晶体的生产加工。
本发明授权一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底及SiC晶体在权利要求书中公布了：1.一种三维方向应力分布均匀的SiC衬底，其特征在于，所述SiC衬底的厚度不小于100μm，所述SiC衬底包括第一主表面和第二主表面，所述第一主表面朝向第二主表面10nm～30μm的区域为第一表层，所述第二主表面朝向第一主表面为10nm～30μm的区域为第二表层，所述第一表层和第二表层之间为中间层； 同一轴线上，任意平行于第一主表面或第二主表面的平面处，Smax1代表第一表层中径向应力绝对值最大值，Smax2代表中间层中径向应力绝对值最大值，Smax3代表第二表层中径向应力绝对值最大值，△S1＝Smax2-Smax1，△S2＝Smax2-Smax3，-15MPa≤△S1≤10MPa，-15MPa≤△S2≤10MPa。
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