哈尔滨理工大学魏博鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉哈尔滨理工大学申请的专利原位生成WSi2增强(Ti ,W)C基陶瓷材料及其制备方法和在刀具中的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117070793B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310939266.1，技术领域涉及：C22C1/053；该发明授权原位生成WSi2增强(Ti ,W)C基陶瓷材料及其制备方法和在刀具中的应用是由魏博鑫;高云峰;姜威;王李卫;房文斌设计研发完成，并于2023-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本原位生成WSi2增强(Ti ,W)C基陶瓷材料及其制备方法和在刀具中的应用在说明书摘要公布了：原位生成WSi2增强Ti,WC基陶瓷材料及其制备方法和在刀具中的应用。本发明属于刀具用陶瓷材料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有刀具领域用陶瓷材料无法兼顾高强韧性和切削性能的技术问题。本发明方法：先将Ti,WC粉和硅粉混合，超声分散后在惰性气氛下进行高低速交替循环球磨；然后进行二段式烧结，得到Ti,WC基陶瓷材料。本发明通过原位反应生成的WSi2晶粒，大幅度提高了固溶体复相陶瓷材料在切削环境下的抗氧化性，此外，通过Ti,WC粉体材料中的TiW比调控与二段式烧结过程中各段温度及时间，使所得陶瓷材料性能得到大幅提高，显著提高了刀具的使用寿命。
本发明授权原位生成WSi2增强(Ti ,W)C基陶瓷材料及其制备方法和在刀具中的应用在权利要求书中公布了：1.一种原位生成WSi2增强Ti,WC基陶瓷材料的制备方法，其特征在于，按以下步骤进行： 步骤1：将Ti,WC粉和硅粉混合，先超声分散，然后在惰性气氛下进行高低速交替循环球磨，过筛后得到混合粉体；Ti,WC粉为Ti79.34,W20.66C粉、Ti71.91,W28.09C粉或Ti68.58,W31.42C粉，混合粉体中硅粉的摩尔含量为5-10%； 步骤2：将混合粉体进行二段式烧结，得到Ti,WC基陶瓷材料，二段式烧结过程为：先升温至1450℃，并在1450℃保温5min，再升温至1600℃并在1600℃下保温10min，然后降至室温，在升温至700℃时进行加压，加压至50MPa，在此压力下保压至保温结束，所得陶瓷材料由Ti,WC相、WSi2相和β-SiC相组织构成。
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