华南师范大学许金友获国家专利权
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龙图腾网获悉华南师范大学申请的专利生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117123447B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311093526.4，技术领域涉及：B05D1/00；该发明授权生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用是由许金友;陈湘涛;王皓;周国富设计研发完成，并于2023-08-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用，所述的方法包括：对M面蓝宝石衬底进行退火，使其表面形成平行排列的水平纳米沟道；将蓝宝石衬底进行表面疏水改性处理，使其表面接触角大于95°；采用气相沉积法在蓝宝石衬底表面生长DAAQ纳米线。工艺流程简化，安全且易于操作，一步实现DAAQ纳米线的生长和对准，得到的纳米线具有形貌优势，且具有高结晶度并表现出晶体取向偏好生长模式，可应用于有机场效应晶体管、有机发光二极管、有机光伏电池或光电探测器产品中。
本发明授权生长DAAQ水平纳米线阵的方法及纳米线阵和应用在权利要求书中公布了：1.生长DAAQ水平纳米线阵的方法，其特征在于，包括如下步骤， 步骤S1：对M面蓝宝石衬底进行退火，使其表面形成平行排列的水平纳米沟道；所述纳米沟道的深度为10-25nm，且深度分布均匀； 步骤S2：将步骤S1处理后的蓝宝石衬底进行表面疏水改性处理， 使其表面接触角大于95°； 步骤S3：采用气相沉积法在步骤S2处理后的蓝宝石衬底表面生长DAAQ纳米线。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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