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龙图腾网获悉全磊光电股份有限公司申请的专利一种异质结双极晶体管及其MOCVD外延生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117766389B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311797828.X，技术领域涉及：H10D10/01；该发明授权一种异质结双极晶体管及其MOCVD外延生长方法是由单智发;张永;张双翔设计研发完成，并于2023-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结双极晶体管及其MOCVD外延生长方法在说明书摘要公布了：本发明属于异质结双极晶体管技术领域，具体涉及一种异质结双极晶体管及其外延制备方法。本发明在所述集电区和所述基区之间设置过渡层，P型掺杂的InGaAs过渡膜层采用脉冲金属有机物化学气相淀积法，在集电区表面生长得到。本发明采用脉冲式金属有机物化学气相淀积法得到P型掺杂的InGaAs膜层，脉冲式生长方法采用反应源气体间歇式通入的方式，可显著降低半导体外延层缺陷密度；同时过渡层的晶格与基区晶格匹配，过渡层上得到的基区材料质量好且不改变基区的组分和掺杂，因此可获得方阻低、增益大、截止频率高的HBT外延片。且本发明不改变原有基区的生长方式，制造成本低。

本发明授权一种异质结双极晶体管及其MOCVD外延生长方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结双极晶体管的外延制备方法，其特征在于，所述异质结双极晶体管包括衬底01，依次设置在所述衬底01表面的缓冲层02、集电极欧姆接触层03、集电区腐蚀阻挡层04、集电区05、基区06、发射层07、副发射层08和发射区欧姆接触层09； 所述异质结双极晶体管还包括：设置在所述集电区05和所述基区06之间的过渡层05-1；所述集电区05的材料为GaAs，所述过渡层05-1的材料为P型掺杂的InGaAs，所述基区06的材料为In0.06GaAs； 所述外延制备方法包括以下步骤； 1在所述衬底01表面依次生长缓冲层02、集电极欧姆接触层03、集电区腐蚀阻挡层04和集电区05； 2在所述集电区05表面生长过渡层05-1，包括以下步骤：以AsH3、三甲基铟和三甲基镓作为反应源气体，以四氯化碳作为掺杂源气体，采用脉冲金属有机物化学气相淀积法，在集电区05表面生长P型掺杂的InGaAs，在集电区05表面得到过渡层05-1；所述脉冲金属有机物化学气相淀积法包括多个脉冲周期，脉冲周期的波形为矩形波，一个脉冲周期T1+T2+T3+T4内，持续通入AsH3，在T1时间内通入三甲基铟、三甲基镓和四氯化碳，在T2时间内不通入三甲基铟、三甲基镓和四氯化碳；在T3时间内通入三甲基铟、三甲基镓和四氯化碳，在T4时间内不通入三甲基铟、三甲基镓和四氯化碳；T1时间＜T3时间，先在集电区05表面形成一层InGaAs形核层，使之形成稳定态，减少堆垛层错和空位，然后在InGaAs形核层基础上生长P型掺杂的InGaAs外延层； 3在所述过渡层05-1表面依次生长基区06、发射层07、副发射层08和发射区欧姆接触层09，得到异质结双极晶体管。

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