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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117776121B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410009479.9，技术领域涉及：C01B19/04；该发明授权一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法是由太惠玲;卜一辰;段再华;袁震;蒋亚东设计研发完成，并于2024-01-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法，属于短波红外光电材料技术领域，具体为：制备TOPTe前驱体溶液和Hg前驱体溶液，将TOPTe前驱体溶液注入Hg前驱体溶液中，35～50℃搅拌8～10min，得到HgTe量子点籽晶溶液；对油胺溶液进行脱气处理，将HgTe量子点籽晶溶液注入油胺溶液，70～90℃下自聚集生长3～5min，加入淬灭剂，冷却得到待过滤HgTe量子点溶液，采用反溶剂离心清洗多次，干燥得到自聚集生长单分散HgTe量子点。本发明所得HgTe量子点的形状、尺寸均匀性高，可以实现1400～2500nm短波光吸收，具有尺寸可控、低成本的优势。

本发明授权一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法在权利要求书中公布了：1.一种自聚集生长单分散HgTe量子点的合成方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1、基于TOP溶液，制备Te浓度为1M的TOPTe前驱体溶液； 步骤2、制备Hg浓度为0.12～0.36mmolmL的Hg前驱体溶液； 步骤3、将TOPTe前驱体溶液注入Hg前驱体溶液中，在惰性气体或氮气下，35～50℃持续搅拌8～10min，得到浓度为0.08～0.24mmolmL的HgTe量子点籽晶溶液；其中，TOPTe前驱体溶液中的Te与Hg前驱体溶液中的Hg的摩尔比为3：2； 步骤4、将油胺溶液倒入三颈烧瓶中，在80～100℃条件下脱气处理，经惰性气体或氮气洗气多次后，将HgTe量子点籽晶溶液注入至油胺溶液中，在70～90℃下自聚集生长3～5min，加入淬灭剂，经冰水冷却后，得到待过滤HgTe量子点溶液；其中，油胺溶液与HgTe量子点籽晶溶液的体积比为10：1～2； 步骤5、将待过滤HgTe量子点溶液倒入离心管中，采用反溶剂进行离心清洗多次，干燥后得到自聚集生长单分散HgTe量子点。

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