上海矽睿科技股份有限公司郭慧芳获国家专利权
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龙图腾网获悉上海矽睿科技股份有限公司申请的专利磁传感器及磁传感器制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117991157B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410117731.8，技术领域涉及：G01R33/09；该发明授权磁传感器及磁传感器制备方法是由郭慧芳;徐兵兵;丁菊仁设计研发完成，并于2024-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁传感器及磁传感器制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种磁传感器，包括衬底、多个第一TMR组件、软磁结构及信号通讯结构。屏蔽板在平行于第一TMR组件方向X‑Y平面的退磁较小，屏蔽板容易被X‑Y平面内的磁场磁化。当X‑Y平面内的外部磁场将屏蔽板磁化后，可产生方向与外部磁场方向相反的感应磁场，从而可以与外部磁场抵消，起到屏蔽作用。屏蔽板在垂直于第一TMR组件方向Z轴的退磁较大，屏蔽板不容易被Z轴方向的磁场磁化，故待检测的Z轴方向的外部磁场不会被屏蔽板屏蔽，并且可以顺利地被转向柱转向。可见，由于能够对X‑Y平面内的磁场起到屏蔽作用，从而避免对Z轴磁场的检测产生跨轴干扰。因此，上述磁传感器能够显著提升检测精度。此外，本发明还提供一种磁传感器制备方法。
本发明授权磁传感器及磁传感器制备方法在权利要求书中公布了：1.一种磁传感器，其特征在于，包括： 衬底； 多个第一TMR组件，设置于所述衬底的一侧； 软磁结构，所述软磁结构包括转向柱及屏蔽板，所述屏蔽板与所述第一TMR组件平行，所述转向柱沿垂直于所述第一TMR组件的方向延伸，所述屏蔽板位于所述转向柱背向多个所述第一TMR组件的一侧或位于多个所述第一TMR组件背向所述转向柱的一侧； 信号通讯结构，与多个所述第一TMR组件电连接； 其中，多个所述第一TMR组件及所述转向柱在所述屏蔽板的表面所在平面内的正投影位于所述屏蔽板的范围内，多个所述第一TMR组件与所述转向柱的边缘相对。
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