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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利一种晶圆表面处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118380314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410529474.9，技术领域涉及：H01L21/3063；该发明授权一种晶圆表面处理方法是由陈帮;李刚;韩商标设计研发完成，并于2024-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种晶圆表面处理方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种晶圆表面处理方法，包括：将设置有透光狭缝的挡光板设置于晶圆的第一表面一侧；采用光电化学刻蚀工艺去除晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄晶圆的第一表面的薄膜，使薄膜远离晶圆的一侧上任意位置与第一表面的高度差小于预设值；其中，晶圆的第一表面和晶圆的第二表面相对设置，晶圆的第二表面为晶圆设置外延层的表面；挡光板用于遮挡光电化学刻蚀工艺中光源出射的光，使光源出射的光通过透光狭缝照射到第一区域，第一区域至少部分覆盖的第一表面的薄膜本发明实施例可以在去除或减薄晶圆的第一表面的薄膜的同时，不影响晶圆的第一表面其他区域的厚度，不影响后续光刻工艺。

本发明授权一种晶圆表面处理方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆表面处理方法，其特征在于，包括： 将设置有透光狭缝的挡光板设置于晶圆的第一表面一侧； 采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值； 其中，所述晶圆的第一表面和晶圆的第二表面相对设置，所述晶圆的第二表面为所述晶圆设置外延层的表面；所述挡光板用于遮挡光电化学刻蚀工艺中光源出射的光，使光源出射的光通过所述透光狭缝照射到第一区域，所述第一区域至少部分覆盖所述的第一表面的薄膜；所述薄膜的面积小于晶圆的第一表面的面积； 采用光电化学刻蚀工艺去除所述晶圆的第一表面的薄膜，或者，采用光电化学刻蚀工艺减薄所述晶圆的第一表面的薄膜，使所述薄膜远离所述晶圆的一侧上任意位置与所述第一表面的高度差小于预设值之后，还包括： 对所述晶圆的第一表面进行化学机械抛光处理。

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