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龙图腾网获悉浙江润海新能源有限公司申请的专利一种异质结太阳能电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118117009B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410534132.6，技术领域涉及：H10F71/10；该发明授权一种异质结太阳能电池的制备方法是由沈琪琳;连维飞;陈磊;张尧;倪志春;陈辉;高杲;陈国清;张景洋;董亮;龚英设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结太阳能电池的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，公开了一种异质结太阳能电池的制备方法，步骤为：清洗制绒；沉积本征非晶硅层及掺杂微晶硅层；沉积ITO透明导电层；沉积掺氮TiO2层；沉积掺氮SiO2层；印刷银浆电极，低温烘干和烧结。本发明低温退火下在异质结太阳电池表面形成ITOTiO2SiO2三层减反射膜，TiO2SiO2叠层进行掺氮处理，工艺过程简单，同时可显著提升减反射效果，获得了较大的电流增益。

本发明授权一种异质结太阳能电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征是，步骤为： （1）将硅片清洗后制绒，在硅片正、背面形成绒面层； （2）在制绒后的硅片正、背面依次沉积本征非晶硅层及掺杂微晶硅层；正面为N型掺杂微晶硅层，背面为P型掺杂微晶硅层； （3）在硅片正、背面的掺杂微晶硅层表面沉积ITO透明导电层； （4）通过ALD法，使用TiCl4、H2O和NH3分别作为Ti源、O源和N源，用氮气和氩气分别作为吹扫气和载气，在硅片正面的ITO透明导电层表面沉积掺氮TiO2层；掺氮TiO2层的生长循环参数为：TiCl4进样5~10s，氮气吹扫25~35s，H2O进样8~14s，氮气吹扫10~15s，NH3进样15~25s，氮气吹扫8~12s；NH3流速为90~110sccm，氮气流速为180~220sccm；生长温度为210~220℃，反应腔内压力为4~6mbar；掺氮TiO2层的厚度为25~50nm； （5）通过PECVD法，使用SiH4-N2O气体在掺氮TiO2层表面沉积掺氮SiO2层；N2O和SiH4的流量比为1~3，温度210~230℃，腔内压力15~20Pa，沉积功率850~1000W；掺氮SiO2层的厚度为50~90nm； （6）在正面的掺氮SiO2层及背面的ITO透明导电层表面印刷银浆电极，烘干和烧结后得到所述异质结太阳能电池；烧结温度低于300℃。

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