西南技术物理研究所王江获国家专利权
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龙图腾网获悉西南技术物理研究所申请的专利一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067444U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421388584.X，技术领域涉及：H10F30/225；该实用新型一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构是由王江;郝昕;王鸥;刘永;姚梦麒;罗国凌;李喆;邓杰;杨瑞雨;郑博仁;代千;柯尊贵;邓世杰设计研发完成，并于2024-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构在说明书摘要公布了：本实用新型属于光电探测器技术领域，公开了一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构，其自下而上依次包括：背面金属电极、N+型高掺衬底、N‑型外延层Ⅰ、N型电荷区、N‑型外延层Ⅱ、P+型光敏区、隔离环、抗反射层、以及正面金属电极。本实用新型光敏芯片结构中，向雪崩区漂移并形成雪崩信号的载流子是电子，而电子的碰撞电离率远高于空穴，故可显著提升雪崩信号触发概率，从而有效提高APD的响应度。
本实用新型一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构在权利要求书中公布了：1.一种蓝绿光增强型硅基雪崩光电二极管光敏芯片结构，其特征在于，自下而上依次包括：背面金属电极、N+型高掺衬底、N-型外延层Ⅰ、N型电荷区、N-型外延层Ⅱ、P+型光敏区、隔离环、抗反射层、以及正面金属电极； 所述背面金属电极位于N+型高掺衬底的背面，所述N-型外延层Ⅰ位于N+型高掺衬底的正面； 所述N型电荷区为注入到N-型外延层Ⅰ的结构； 所述N-型外延层Ⅱ为在N-型外延层Ⅰ完成N型电荷区注入后二次外延生长的结构； 所述P+型光敏区和隔离环均为注入到N-型外延层Ⅱ的结构，且所述隔离环位于P+型光敏区的两侧； 所述抗反射层和正面金属电极均位于N-型外延层Ⅱ的表面，且所述抗反射层位于P+型光敏区的上面、所述正面金属电极位于P+型光敏区的两侧表面； 所述N+型高掺衬底的厚度为20～200μm；所述N-型外延层Ⅰ的厚度为1.5～4μm； 所述N型电荷区的厚度为0.5～1μm；所述N-型外延层Ⅱ的厚度为1.5～2.5μm；所述P+型光敏区的厚度为0.2～0.4μm。
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