台湾积体电路制造股份有限公司吴嘉益获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067438U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421499596.X，技术领域涉及：H10D84/83；该实用新型半导体装置是由吴嘉益设计研发完成，并于2024-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：提供了半导体装置。在一个实施例中，半导体装置包括：基板、形成在基板上的鳍片、形成在鳍片上的栅极结构、以及形成在鳍片上并邻近于栅极结构的金属接触件。鳍片沿着第一水平方向延伸，栅极结构和金属接触件沿着第二水平方向延伸，并且第二水平方向垂直于第一水平方向。栅极结构还包括耦合到鳍片的栅极电极以及与栅极电极分隔的介电质栅极隔离部件。介电质栅极隔离部件包括介电质材料。介电质栅极隔离部件的一部分在第一水平方向与邻近和接近介电质栅极隔离部件的金属接触件的一部分对准。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包含： 一基板； 至少一个鳍片，形成在该基板上，所述至少一个鳍片沿着一第一水平方向延伸； 至少一个栅极结构，形成在所述至少一个鳍片上并沿着一第二水平方向延伸，该第二水平方向基本上垂直于该第一水平方向；以及 至少一个金属接触件，形成在所述至少一个鳍片上，沿着该第二水平方向延伸并且邻近于该栅极结构； 其中所述至少一个栅极结构还包含： 至少一个栅极电极，耦合到所述至少一个鳍片；和 至少一个介电质栅极隔离部件，与所述至少一个栅极电极分隔，所述至少一个介电质栅极隔离部件包含一介电质材料； 其中在该第一水平方向该介电质栅极隔离部件的一部分与邻近和接近该介电质栅极隔离部件的该金属接触件的一部分对准。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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