北京清芯微储能科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉北京清芯微储能科技有限公司申请的专利一种低阻快响应VDMOS器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067437U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421560254.4，技术领域涉及：H10D62/10；该实用新型一种低阻快响应VDMOS器件是由许一力设计研发完成，并于2024-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种低阻快响应VDMOS器件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及功率半导体器件技术领域，且公开了一种低阻快响应VDMOS器件，包括N+衬底、漏极和N+区，所述漏极的上表面沉淀有一层所述N+衬底，所述N+衬底的上表面具有N缓冲区，所述N缓冲区的上表面生长一层N‑漂移区，所述N‑漂移区为硅片，所述N‑漂移区的内部上方具有连续的扩散区P‑体区，所述P‑体区至少为两个，每个所述P‑体区的内部形成有P+区和所述N+区，且所述P+区和所述N+区深度相同；通过在U槽的下方设两个导电区，导电区为P型半导体，每个导电区的周围有第二导电掺杂区，两个第二导电掺杂区之间有第一导电掺杂区，第一第二导电掺杂区浓度不同，在器件工作时，电流能够更快速的向下移动，电流流通速率高，器件应对命令的反应速度更快。
本实用新型一种低阻快响应VDMOS器件在权利要求书中公布了：1.一种低阻快响应VDMOS器件，其特征在于，包括N+衬底1、漏极2和N+区11，所述漏极2的上表面沉淀有一层所述N+衬底1，所述N+衬底1的上表面具有N缓冲区6，所述N缓冲区6的上表面生长一层N-漂移区7，所述N-漂移区7为硅片，所述N-漂移区7的内部上方具有连续的扩散区P-体区9，所述P-体区9至少为两个，每个所述P-体区9的内部形成有P+区10和所述N+区11，且所述P+区10和所述N+区11深度相同，并且所述N+区11和所述P+区10的侧面相接触，所述N-漂移区7的内部向下凹陷形成U槽15，所述U槽15的内部设置有栅极13，所述N-漂移区7的内部且处在所述U槽15的下方设有两个导电区4，所述导电区4为P型半导体，每个所述导电区4的周围有第二导电掺杂区5，两个所述第二导电掺杂区5之间有第一导电掺杂区3。
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