星钥半导体(武汉)有限公司刘铭全获国家专利权
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龙图腾网获悉星钥半导体(武汉)有限公司申请的专利发光基板及发光设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067457U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421594362.3，技术领域涉及：H10H29/855；该实用新型发光基板及发光设备是由刘铭全;王思维;方士伟设计研发完成，并于2024-07-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本发光基板及发光设备在说明书摘要公布了：本申请提供一种发光基板及发光设备。所述发光基板包括衬底、至少一个发光元件及透镜结构层。所述至少一个发光元件位于所述衬底上。所述透镜结构层位于所述发光元件远离所述衬底的一侧；所述透镜结构层包括至少一个聚光透镜结构，每一所述聚光透镜结构在所述衬底上的正投影覆盖至少一个所述发光元件的发光区在所述衬底上的正投影；各所述聚光透镜结构包括层叠设置的至少两个透镜元件，至少一个所述聚光透镜结构包括第一透镜元件和位于所述第一透镜元件远离所述衬底一侧的第二透镜元件，所述第一透镜元件的折射率大于所述第二透镜元件的折射率，所述第一透镜元件远离所述衬底的表面的曲率小于所述第二透镜元件远离所述衬底的表面的曲率。
本实用新型发光基板及发光设备在权利要求书中公布了：1.一种发光基板，其特征在于，所述发光基板包括： 衬底； 至少一个发光元件，位于所述衬底上； 透镜结构层，位于所述发光元件远离所述衬底的一侧；所述透镜结构层包括至少一个聚光透镜结构，每一所述聚光透镜结构在所述衬底上的正投影覆盖至少一个所述发光元件的发光区在所述衬底上的正投影；各所述聚光透镜结构包括层叠设置的至少两个透镜元件，至少一个所述聚光透镜结构包括第一透镜元件和位于所述第一透镜元件远离所述衬底一侧的第二透镜元件，所述第一透镜元件的折射率大于所述第二透镜元件的折射率，所述第一透镜元件远离所述衬底的表面的曲率小于所述第二透镜元件远离所述衬底的表面的曲率。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人星钥半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430206 湖北省武汉市东湖新技术开发区未来科技城龙山南街6号展想新思中心1号楼8楼808单元；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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