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龙图腾网获悉睿思微系统(烟台)有限公司申请的专利一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118631183B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410913984.6，技术领域涉及：H03F1/30；该发明授权一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片是由王锋;马强;刘海玲设计研发完成，并于2024-07-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片在说明书摘要公布了：本发明公开了一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片，涉及功率放大器技术领域。通过复合管结构的至少两个晶体管的连接关系，相比于传统的偏置电路内三极管串联结构，增大了对温度变化的反馈强度，达到较好的温度补偿。第一电路、第一晶体管和功率放大器之间的连接关系，由于复合管结构在温度升高时，晶体管内的自热效应，使之复合管结构的至少两个晶体管内的电流叠加，导致第一电路对应的压降增大，抑制功率放大器的偏置电流的增大。反之，在温度降低时使之功率放大器的偏置电流的静态电流值趋于稳定，进而电流随温度的提高斜率变化较小，保持信号不失真，提升功率放大器的温度补偿能力。

本发明授权一种功率放大器的偏置电路、功放模组以及功放芯片在权利要求书中公布了：1.一种功率放大器的偏置电路，其特征在于，包括第一电路、第一晶体管和包含至少两个晶体管构成的复合管；其中，所述复合管的当前晶体管的发射极连接下一个晶体管的基极，首个晶体管的基极连接所述第一晶体管的基极；所述复合管除首个晶体管之外的其余晶体管的集电极相互连接；最后一个晶体管的发射极接地； 所述第一电路的第一端连接所述第一晶体管的集电极，且连接所述复合管的首个晶体管的集电极； 所述第一电路的第二端连接所述复合管除首个晶体管之外的其余晶体管的集电极，且连接所述第一晶体管的基极和所述复合管的首个晶体管的基极； 所述第一晶体管的发射极连接功率放大器； 对应地，所述复合管内的晶体管的数量为N个，且N为大于2的整数； 所述首个晶体管的集电极连接所述第一电路的第一端，且连接所述第一晶体管的集电极；所述首个晶体管的基极连接所述第一晶体管的基极，且连接所述第一电路的第二端；所述首个晶体管的发射极连接第i个晶体管的基极； 所述第i个晶体管的发射极连接第i+1个晶体管的基极；所述第i个晶体管的集电极和第i+1个晶体管的集电极相互连接，且连接所述第一电路的第二端、所述首个晶体管的基极和所述第一晶体管的基极；其中，1＜i＜N； 第N个晶体管的集电极与所述第i个晶体管的集电极连接，且均连接所述第一电路的第二端、所述首个晶体管的基极和所述第一晶体管的基极；所述第N个晶体管的发射极接地；其中，第N个晶体管的集电极电流由自身的电流变化量和晶体管放大倍数与上一个晶体管的集电极电流变化量确定，以在温度升高由于晶体管自热效应使之N个晶体管的电流叠加，进而第一电路的压降增大，抑制偏置电流增大；在温度降低抑制偏置电流的下降，对应的静态电流值趋于稳定； 对应地，还包括： 第四电阻和第五电阻； 所述第四电阻的第一端连接所述复合管内相邻两个晶体管的前一个晶体管的发射极；所述第四电阻的第二端连接所述复合管内相邻两个晶体管的后一个晶体管的基极； 所述第五电阻的第一端连接所述复合管内最后一个晶体管的发射极；所述第五电阻的第二端接地。

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