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龙图腾网获悉通威太阳能(成都)有限公司申请的专利一种太阳电池及光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067451U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421671615.2，技术领域涉及：H10F77/20；该实用新型一种太阳电池及光伏组件是由廖文馨;杨焘;孟夏杰设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太阳电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请涉及太阳电池技术领域，公开一种太阳电池及光伏组件。该太阳电池包括：硅基底，其后表面有第一区域和第二区域；交替分布且隔开设置于后表面的与第一区域对应的第一半导体层和与第二区域对应的第二半导体层；硅基底的后表面有若干非金字塔型微结构，包括在第一区域的第一微结构和在第二区域的第二微结构，第一微结构的一维尺寸a1为2.5～30μm，第二微结构的一维尺寸为a2为4～50μm；第一微结构的最长一维尺寸为a1max，最短一维尺寸为a1min；第二微结构的最长一维尺寸为a2max，最短一维尺寸为a2min，a2max+a2min2与a1max+a1min2比值为1～1.7。

本实用新型一种太阳电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳电池，其特征在于，所述太阳电池包括： 硅基底，所述硅基底具有相背设置的前表面和后表面，所述后表面具有第一区域和第二区域，所述硅基底具有第一导电类型； 交替分布于所述后表面的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层与所述第二半导体层通过隔离区隔开设置，所述第一半导体层与所述第一区域的位置对应，且所述第一半导体层具有第二导电类型，所述第二半导体层与所述第二区域的位置对应，且所述第二半导体层具有所述第一导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反； 所述硅基底的所述后表面具有若干非金字塔型微结构，所述非金字塔型微结构相对于所述后表面内凹或凸出设置，所述非金字塔型微结构在所述后表面上的水平投影形状为多边形； 所述非金字塔型微结构包括位于所述第一区域的第一微结构和位于所述第二区域的第二微结构，所述第一微结构的一维尺寸a1为2.5μm～30μm，所述第二微结构的一维尺寸为a2为4μm～50μm；所述第一微结构的最长一维尺寸为a1max，最短一维尺寸为a1min；所述第二微结构的最长一维尺寸为a2max，最短一维尺寸为a2min，a2max+a2min2与a1max+a1min2的比值范围为1～1.7； 第一电极，与所述第一半导体层之间欧姆接触； 第二电极，与所述第二半导体层之间欧姆接触。

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