扬州扬杰电子科技股份有限公司代书雨获国家专利权
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龙图腾网获悉扬州扬杰电子科技股份有限公司申请的专利一种平面栅MOSFET获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223067435U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-04发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421668489.5，技术领域涉及：H10D30/01；该实用新型一种平面栅MOSFET是由代书雨;马倩倩;周理明;王毅设计研发完成，并于2024-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种平面栅MOSFET在说明书摘要公布了：一种平面栅MOSFET，涉及半导体技术领域。在器件的的P体区和P+沟道区之间形成一个薄的N+层，关态状态下G极电极不加电压，该N+层在P体区和P+沟道区的夹持下被完全耗尽，不导电，开态状态下G极电极加正电压，栅氧一侧P+沟道区形成反型层导电沟道，同时由于G极电极加正电压，P体区和P+沟道区夹持的N+层由完全耗尽状态转变为正常导电状态，N+层和反型层导电沟道并联，共同承担器件的通流，降低了平面栅垂直导电MOSFET导通电阻。
本实用新型一种平面栅MOSFET在权利要求书中公布了：1.一种平面栅MOSFET，其特征在于，包括自下而上依次设置的D极电极（11）、外延片（1）、多晶硅（7）和隔离层（8）； 所述外延片（1）顶部设有： P体区（2），设有若干并相互间隔，分别从所述外延片（1）的顶面向下延伸，与所述外延片（1）的N-耐压层（13）底面设有间距； N+区（3），设有若干，间隔设置在所述P体区（2）内，并从所述外延片（1）的顶面向下延伸； P+沟道区（5），设有若干，分别从所述N+区（3）顶面沿一侧向下延伸； 栅介质（6），位于所述外延片（1）的顶面； 所述多晶硅（7）设有若干并相互间隔，分别位于所述P+沟道区（5）上方栅介质（6）的顶面； 所述隔离层（8）分别设置在栅介质（6）的顶面和多晶硅（7）的顶面；所述栅介质（6）顶面的隔离层（8）位于相邻多晶硅（7）之间； 所述隔离层（8）内设有： S极电极（9），从所述隔离层（8）的顶面向下延伸至P体区（2）内，并与所述N+区（3）和P体区（2）连接，形成欧姆接触； G极电极（10），从所述隔离层（8）的顶面向下延伸至多晶硅（7）内，并与所述多晶硅（7）形成欧姆接触。
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